规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.4A(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(49)
分立半导体产品
(49)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (1)
Infineon Technologies (7)
IXYS (5)
Fairchild/ON Semiconductor (16)
ON Semiconductor (2)
STMicroelectronics (8)
Vishay Siliconix (10)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 2.4A(Tc) 45W(Tc) DPAK
型号:
STD3NK60ZD
仓库库存编号:
497-10093-1-ND
别名:497-10093-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.4A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 2.4A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR420
仓库库存编号:
IRFR420-ND
别名:*IRFR420
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.4A(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 2.4A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR420TR
仓库库存编号:
IRFR420TR-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.4A(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.4A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 500V 2.4A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU420
仓库库存编号:
IRFU420-ND
别名:*IRFU420
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.4A(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 2.4A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR420TRL
仓库库存编号:
IRFR420TRL-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.4A(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 2.4A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR420TRR
仓库库存编号:
IRFR420TRR-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.4A(Tc),
含铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 2.4A IPAK
详细描述:通孔 P 沟道 200V 2.4A(Tc) 2.5W(Ta),37W(Tc) I-Pak
型号:
FQU3P20TU
仓库库存编号:
FQU3P20TU-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.4A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 2.4A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 2.4A(Tc) 2.5W(Ta),37W(Tc) D-Pak
型号:
FQD3P20TF
仓库库存编号:
FQD3P20TF-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.4A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 2.4A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 2.4A(Tc) 2.5W(Ta),37W(Tc) D-Pak
型号:
FQD3P20TM
仓库库存编号:
FQD3P20TM-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.4A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V 2.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 300V 2.4A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) D-Pak
型号:
FQD3N30TF
仓库库存编号:
FQD3N30TF-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.4A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V 2.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 300V 2.4A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) D-Pak
型号:
FQD3N30TM
仓库库存编号:
FQD3N30TM-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.4A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 2.4A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) D-Pak
型号:
FQD3N60TM
仓库库存编号:
FQD3N60TM-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.4A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 2.4A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) I-Pak
型号:
FQU3N60TU
仓库库存编号:
FQU3N60TU-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.4A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 2.4A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) D-Pak
型号:
FQD3N60TF
仓库库存编号:
FQD3N60TF-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.4A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 2.4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 2.4A(Tc) 64W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP2N60
仓库库存编号:
FQP2N60-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.4A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 400V 2.4A TO-220F
详细描述:通孔 P 沟道 400V 2.4A(Tc) 39W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF4P40
仓库库存编号:
FQPF4P40-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.4A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 2.4A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 800V 2.4A(Tc) 3.13W(Ta),85W(Tc) I2PAK
型号:
FQI2N80TU
仓库库存编号:
FQI2N80TU-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.4A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 2.4A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 2.4A(Tc) 3.13W(Ta),64W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB2N60TM
仓库库存编号:
FQB2N60TM-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.4A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 2.4A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 2.4A(Tc) 3.13W(Ta),85W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB2N80TM
仓库库存编号:
FQB2N80TM-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.4A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 2.4A(Tc) 50W(Tc) I-Pak
型号:
FQU3N60CTU
仓库库存编号:
FQU3N60CTU-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.4A(Tc),
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 600V 2.4A(Tc) 24W(Tc) TO-220FP
型号:
NDF02N60ZG
仓库库存编号:
NDF02N60ZGOS-ND
别名:NDF02N60ZG-ND
NDF02N60ZGOS
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.4A(Tc),
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 600V 2.4A(Tc) 24W(Tc) TO-220FP
型号:
NDF02N60ZH
仓库库存编号:
NDF02N60ZH-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.4A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 2.4A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 2.4A(Tc) 22.3W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R2K0C6BTMA1
仓库库存编号:
IPD60R2K0C6BTMA1CT-ND
别名:IPD60R2K0C6CT
IPD60R2K0C6CT-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.4A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 2.4A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 600V 2.4A(Tc) 22.3W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU60R2K0C6BKMA1
仓库库存编号:
IPU60R2K0C6BKMA1-ND
别名:SP000931528
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.4A(Tc),
无铅
搜索
1
2
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号