规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.3A(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Cree/Wolfspeed
MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.3A(Tc) 78W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
C2M1000170J
仓库库存编号:
C2M1000170J-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.3A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 6TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.3A(Tc) 5W(Tc) 6-TSOP
型号:
SQ3427AEEV-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ3427AEEV-T1_GE3CT-ND
别名:SQ3427AEEV-T1_GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.3A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.3A(Tc) 104W(Tc) TO-252AA
型号:
SIHD5N50D-GE3
仓库库存编号:
SIHD5N50D-GE3-ND
别名:SIHD5N50D-GE3CT
SIHD5N50D-GE3CT-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.3A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 50V 5.3A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 5.3A(Tc) 25W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU9010PBF
仓库库存编号:
IRFU9010PBF-ND
别名:*IRFU9010PBF
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.3A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 5.3A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.3A(Tc) 960mW(Ta),1.7W(Tc) SOT-23
型号:
SI2323DDS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2323DDS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2323DDS-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.3A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.3A(Tc) 25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9010TRPBF
仓库库存编号:
IRFR9010PBFCT-ND
别名:*IRFR9010TRPBF
IRFR9010PBFCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.3A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 5.3A(Tc) 104W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP5N50D-E3
仓库库存编号:
SIHP5N50D-E3-ND
别名:SIHP5N50D-E3CT
SIHP5N50D-E3CT-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.3A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220 FLPK
详细描述:通孔 N 沟道 5.3A(Tc) 30W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHF5N50D-E3
仓库库存编号:
SIHF5N50D-E3-ND
别名:SIHF5N50D-E3CT
SIHF5N50D-E3CT-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.3A(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.3A(Tc) 2W(Ta) SOT-26
型号:
TSM3446CX6 RKG
仓库库存编号:
TSM3446CX6 RKGTR-ND
别名:TSM3446CX6 RFG
TSM3446CX6 RFGTR
TSM3446CX6 RFGTR-ND
TSM3446CX6 RKGTR
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.3A(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.3A(Tc) 2W(Ta) SOT-26
型号:
TSM3446CX6 RKG
仓库库存编号:
TSM3446CX6 RKGCT-ND
别名:TSM3446CX6 RFGCT
TSM3446CX6 RFGCT-ND
TSM3446CX6 RKGCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.3A(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.3A(Tc) 2W(Ta) SOT-26
型号:
TSM3446CX6 RKG
仓库库存编号:
TSM3446CX6 RKGDKR-ND
别名:TSM3446CX6 RFGDKR
TSM3446CX6 RFGDKR-ND
TSM3446CX6 RKGDKR
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.3A(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.3A(Tc) 5.3W(Tc) 8-SOP
型号:
TSM9435CS RLG
仓库库存编号:
TSM9435CS RLGTR-ND
别名:TSM9435CS RLGTR
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.3A(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.3A(Tc) 5.3W(Tc) 8-SOP
型号:
TSM9435CS RLG
仓库库存编号:
TSM9435CS RLGCT-ND
别名:TSM9435CS RLGCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.3A(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.3A(Tc) 5.3W(Tc) 8-SOP
型号:
TSM9435CS RLG
仓库库存编号:
TSM9435CS RLGDKR-ND
别名:TSM9435CS RLGDKR
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.3A(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.3A(Tc) 104W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD6N50
仓库库存编号:
785-1482-1-ND
别名:785-1482-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.3A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 5.3A(Tc) 104W(Tc) TO-251
型号:
SIHU5N50D-GE3
仓库库存编号:
SIHU5N50D-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.3A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 5.3A(Tc) 104W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF830BPBF
仓库库存编号:
IRF830BPBF-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.3A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 5.3A(Tc) 104W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP5N50D-GE3
仓库库存编号:
SIHP5N50D-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.3A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 5.3A(Tc) 104W(Tc) TO-251AA
型号:
SIHU5N50D-E3
仓库库存编号:
SIHU5N50D-E3-ND
别名:SIHU5N50D-E3CT
SIHU5N50D-E3CT-ND
SIHU5N50DE3
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.3A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.3A(Tc) 104W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
SIHD5N50D-E3
仓库库存编号:
SIHD5N50D-E3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.3A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 50V 5.3A(Tc) 25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9010TRLPBF
仓库库存编号:
IRFR9010TRLPBF-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.3A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 5.3A TO220FP
详细描述:通孔 P 沟道 5.3A(Tc) 27W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI9Z14GPBF
仓库库存编号:
IRFI9Z14GPBF-ND
别名:*IRFI9Z14GPBF
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.3A(Tc),
无铅
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Cree/Wolfspeed
MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.3A(Tc) 78W(Tc) D2PAK-7
型号:
C2M1000170J-TR
仓库库存编号:
C2M1000170J-TR-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.3A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 50V 5.3A(Tc) 25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9010TR
仓库库存编号:
IRFR9010TR-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.3A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 50V 5.3A(Tc) 25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9010
仓库库存编号:
IRFR9010-ND
别名:*IRFR9010
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.3A(Tc),
含铅
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