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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 42.8W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD12NF06LT4
  仓库库存编号：497-2487-1-ND
  别名：497-2487-1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 12A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF13N80K5
  仓库库存编号：497-13753-5-ND
  别名：497-13753-5
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 1200V 12A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 250W（Tc） TO-220
  
  型号：STP12N120K5
  仓库库存编号：497-15554-5-ND
  别名：497-15554-5
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 1200V 12A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 250W（Tc） TO-247
  
  型号：STW12N120K5
  仓库库存编号：497-15446-5-ND
  别名：497-15446-5
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 40V 12A TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD413A
  仓库库存编号：785-1218-1-ND
  别名：785-1218-1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 12A SC-70
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 3.5W（Ta），19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA429DJT-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA429DJT-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA429DJT-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8 PPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 3.2W（Ta），15.6W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS412DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS412DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS412DN-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6L
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 3.5W（Ta），19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA436DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA436DJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA436DJ-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 12A SC-70
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 3.5W（Ta），19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA445EDJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA445EDJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA445EDJ-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 3.5W（Ta），19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA415DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA415DJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA415DJ-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 3.5W（Ta），19.2W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA430DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA430DJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA430DJ-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 12A PPAK CHIPFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 3.1W（Ta），31W（Tc） 8-PowerPak? ChipFet（3x1.9）
  
  型号：SI5476DU-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5476DU-T1-GE3CT-ND
  别名：SI5476DU-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 12A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS5672
  仓库库存编号：FDS5672CT-ND
  别名：FDS5672CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 42.8W（Tc） I-Pak
  
  型号：STD12NF06L-1
  仓库库存编号：497-6730-5-ND
  别名：497-6730-5
  STD12NF06L-1-ND
  STD12NF06L1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1KV 12A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH12N100
  仓库库存编号：IXFH12N100-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 3.4W（Ta），17.9W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA461DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA461DJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA461DJ-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 12A SC-70-6L
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA447DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA447DJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA447DJ-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 8V 12A 6SC-70
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA427ADJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA427ADJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA427ADJ-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 8V 12A SC-70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 3.5W（Ta），19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA427DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA427DJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA427DJ-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 3.1W（Ta），31W（Tc） 8-PowerPak? ChipFet（3x1.9）
  
  型号：SI5419DU-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5419DU-T1-GE3CT-ND
  别名：SI5419DU-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 12A SC-70
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 19.2W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA400EDJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA400EDJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA400EDJ-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 12A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 42W（Tc） TO-252-3
  
  型号：DMN10H170SK3-13
  仓库库存编号：DMN10H170SK3-13DICT-ND
  别名：DMN10H170SK3-13DICT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 2.4W（Ta），5W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4178DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4178DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4178DY-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 12A SC-70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 3.5W（Ta），19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA433EDJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA433EDJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA433EDJ-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 30V 12A 8VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 2.6W（Ta） 8-SON（3.3x3.3）
  
  型号：CSD17551Q3A
  仓库库存编号：296-35025-1-ND
  别名：296-35025-1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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