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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 12A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 12A（Tc） 231W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M012A060H
  仓库库存编号：1560-1180-5-ND
  别名：1560-1180-1
  1560-1180-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
• 无铅
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 12A（Tc） 53.4W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP2M012A060F
  仓库库存编号：1560-1210-5-ND
  别名：1560-1210-1
  1560-1210-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
• 无铅
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 800V 12A TO3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 12A（Tc） 416W（Tc） TO-3PN
  
  型号：GP2M012A080NG
  仓库库存编号：1560-1211-5-ND
  别名：1560-1211-1
  1560-1211-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
• 无铅
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 12A（Tc） 50W（Tc） TO-220F
  
  型号：AOTF12T60
  仓库库存编号：AOTF12T60-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
• 无铅
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 12A（Tc） 35W（Tc） TO-220F
  
  型号：AOTF12T60L
  仓库库存编号：AOTF12T60L-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
• 无铅
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 12A TO262F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 12A（Tc） 28W（Tc） TO-262F
  
  型号：AOWF12T60
  仓库库存编号：AOWF12T60-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
• 无铅
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N/P-CH 30V TO252-4
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel Complementary 30V 12A (Tc) Surface Mount TO-252-4L
  
  型号：AOD607_001
  仓库库存编号：AOD607_001-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
• 无铅
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N/P-CH 30V TO252-4
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel Complementary 30V 12A (Tc) 25W (Tc) Surface Mount TO-252-4L
  
  型号：AOD607_DELTA
  仓库库存编号：AOD607_DELTA-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 12A（Tc） 41W（Tc） TO-220AB 整包
  
  型号：IRFI530N
  仓库库存编号：IRFI530N-ND
  别名：*IRFI530N
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 12A（Tc） 41W（Tc） TO-220AB 整包
  
  型号：IRLI530N
  仓库库存编号：IRLI530N-ND
  别名：*IRLI530N
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 55V 12A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9Z24NS
  仓库库存编号：IRF9Z24NS-ND
  别名：*IRF9Z24NS
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 12A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 12A（Tc） 80W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL3215
  仓库库存编号：IRL3215-ND
  别名：*IRL3215
  SP001558002
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 12A TO-262
  详细描述：通孔 P 沟道 55V 12A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF9Z24NL
  仓库库存编号：IRF9Z24NL-ND
  别名：*IRF9Z24NL
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 55V 12A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9Z24NSTRL
  仓库库存编号：IRF9Z24NSTRL-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 55V 12A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9Z24NSTRR
  仓库库存编号：IRF9Z24NSTRR-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 12A TO-3-3
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Tc） 150W（Tc） TO-204AA（TO-3）
  
  型号：IRF450
  仓库库存编号：IRF450-ND
  别名：*IRF450
  Q2009037
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 12A TO-262
  详细描述：通孔 P 沟道 55V 12A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF9Z24NLPBF
  仓库库存编号：IRF9Z24NLPBF-ND
  别名：*IRF9Z24NLPBF
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 12A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 12A（Tc） 104W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB60R250CPATMA1
  仓库库存编号：IPB60R250CPATMA1TR-ND
  别名：IPB60R250CP
  IPB60R250CP-ND
  SP000358140
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 12A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 12A（Tc） 104W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI60R250CPAKSA1
  仓库库存编号：IPI60R250CPAKSA1-ND
  别名：IPI60R250CP
  IPI60R250CP-ND
  SP000358141
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 12A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 12A（Tc） 104W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R250CP
  仓库库存编号：IPW60R250CP-ND
  别名：IPW60R250CPFKSA1
  SP000310511
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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