规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 12A PPAK CHIPFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 3.1W(Ta),31W(Tc) PowerPAK? ChipFET 单通道
型号:
SI5410DU-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5410DU-T1-GE3CT-ND
别名:SI5410DU-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 6.8W(Tc)
型号:
SQ4850EY-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ4850EY-T1_GE3CT-ND
别名:SQ4850EY-T1_GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 12A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 24W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF680N10T
仓库库存编号:
FDPF680N10T-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 12A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 2W(Ta),50W(Tc) PowerFlat?(3.3x3.3)
型号:
STL12N3LLH5
仓库库存编号:
497-11844-1-ND
别名:497-11844-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 3.9W(Ta),48W(Tc) TO-252-3
型号:
MTD3055VL
仓库库存编号:
MTD3055VLCT-ND
别名:MTD3055VLCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 12A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 104W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP50R299CPXKSA1
仓库库存编号:
IPP50R299CPXKSA1-ND
别名:IPP50R299CP
IPP50R299CPIN
IPP50R299CPIN-ND
IPP50R299CPXK
SP000680938
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 12A
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 90W(Tc) D2PAK
型号:
STB18N60DM2
仓库库存编号:
497-16339-1-ND
别名:497-16339-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9530STRLPBF
仓库库存编号:
IRF9530STRLPBFCT-ND
别名:IRF9530STRLPBFCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 160W(Tc) D2PAK
型号:
STB12NM50T4
仓库库存编号:
497-5381-1-ND
别名:497-5381-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 190W(Tc) D2PAK
型号:
STB13N80K5
仓库库存编号:
497-13860-1-ND
别名:497-13860-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V HV POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 3W(Ta),90W(Tc) PowerFlat?(8x8) HV
型号:
STL16N65M5
仓库库存编号:
497-12270-1-ND
别名:497-12270-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 250W(Tc) H2Pak-2
型号:
STH12N120K5-2
仓库库存编号:
497-15425-1-ND
别名:497-15425-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 45W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK9Y113-100E,115
仓库库存编号:
1727-1854-1-ND
别名:1727-1854-1
568-11545-1
568-11545-1-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Tc) 3.8W(Ta),45W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9Z24NSTRLPBF
仓库库存编号:
IRF9Z24NSTRLPBFCT-ND
别名:IRF9Z24NSTRLPBFCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 48W(Tc) TO-220-3
型号:
MTP3055VL
仓库库存编号:
MTP3055VLFS-ND
别名:MTP3055VLFS
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 60V 12A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 33W(Tc) TO-251
型号:
IXTU12N06T
仓库库存编号:
IXTU12N06T-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 110W(Tc) I2PAK
型号:
STI18N65M2
仓库库存编号:
497-15550-5-ND
别名:497-15550-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 33W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHF12N60E-E3
仓库库存编号:
SIHF12N60E-E3-ND
别名:SIHF12N60EE3
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 12A TO220FP
详细描述:通孔 P 沟道 12A(Tc) 42W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI9Z34GPBF
仓库库存编号:
IRFI9Z34GPBF-ND
别名:*IRFI9Z34GPBF
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 12A LPT
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 1.56W(Ta),40W(Tc) LPTS(SC-83)
型号:
RCJ120N20TL
仓库库存编号:
RCJ120N20TLCT-ND
别名:RCJ120N20TLCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 12A LPT
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 1.56W(Ta),40W(Tc) LPTS(SC-83)
型号:
RCJ120N25TL
仓库库存编号:
RCJ120N25TLCT-ND
别名:RCJ120N25TLCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 93W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R330P6XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R330P6XKSA1-ND
别名:SP001017060
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF16N60M2
仓库库存编号:
497-16013-5-ND
别名:497-16013-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 12A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 147W(Tc) D2PAK
型号:
SIHB12N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHB12N60E-GE3-ND
别名:SIHB12N60EGE3
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 12A
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STFU18N65M2
仓库库存编号:
497-16306-5-ND
别名:497-16306-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc),
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