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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 12A I2PAKFP
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 30W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
  
  型号：STFI14N80K5
  仓库库存编号：STFI14N80K5-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 130W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB14N80K5
  仓库库存编号：STB14N80K5-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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  无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 12A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF15NM65N
  仓库库存编号：497-11866-5-ND
  别名：497-11866-5
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 12A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF16N65M5
  仓库库存编号：497-8893-5-ND
  别名：497-8893-5
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 950V 12A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 170W（Tc） TO-220
  
  型号：STP15N95K5
  仓库库存编号：497-14218-5-ND
  别名：497-14218-5
  STP15N95K5-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 12A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 180W（Tc） TO-220
  
  型号：IXTP12N65X2
  仓库库存编号：IXTP12N65X2-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 69W（Tc） ITO-220S
  
  型号：TSM80N400CF C0G
  仓库库存编号：TSM80N400CF C0G-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CHAN 850V TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 179W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP11N80E-GE3
  仓库库存编号：SIHP11N80E-GE3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 12A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 180W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IXTH12N65X2
  仓库库存编号：IXTH12N65X2-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 12A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 90W（Tc） I-Pak
  
  型号：STU16N65M5
  仓库库存编号：497-11402-5-ND
  别名：497-11402-5
  STU16N65M5-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 1200V 12A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 63W（Tc） TO-3PF
  
  型号：STFW12N120K5
  仓库库存编号：STFW12N120K5-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 298W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT10090BLLG
  仓库库存编号：APT10090BLLG-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 15.6W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS822DNT-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS822DNT-T1-GE3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA465EDJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA465EDJ-T1-GE3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 19.2W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA472EDJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA472EDJ-T1-GE3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA445EDJT-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA445EDJT-T1-GE3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 12A SC-70-6L
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA477EDJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA477EDJ-T1-GE3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 19.2W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA430DJT-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA430DJT-T1-GE3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 12A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 45W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK7Y113-100EX
  仓库库存编号：1727-1105-1-ND
  别名：1727-1105-1
  568-10260-1
  568-10260-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 2.4W（Ta），5W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4178DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4178DY-T1-E3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 2.4W（Ta），5W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4176DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4176DY-T1-E3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 16A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 33W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SQS840EN-T1_GE3
  仓库库存编号：SQS840EN-T1_GE3-ND
  别名：SQS840EN-T1-GE3
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 33W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SQS850EN-T1_GE3
  仓库库存编号：SQS850EN-T1_GE3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA413ADJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA413ADJ-T1-GE3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 6.8W（Tc） 8-SOIC
  
  型号：SQ4064EY-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ4064EY-T1_GE3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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