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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 110W（Tc） DPAK
  
  型号：STD25NF20
  仓库库存编号：497-13749-1-ND
  别名：497-13749-1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 18A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS413DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS413DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS413DN-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 51W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK9277-55A,118
  仓库库存编号：1727-3932-1-ND
  别名：1727-3932-1
  568-4284-1
  568-4284-1-ND
  BUK9277-55A /T3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4116DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4116DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4116DY-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 18A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7322DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7322DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7322DN-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 18A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 18A（Tc） 3.7W（Ta），39W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7611DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7611DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7611DN-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF640PBF
  仓库库存编号：IRF640PBF-ND
  别名：*IRF640PBF
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 18A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL640A
  仓库库存编号：IRL640A-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 18A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF20NF20
  仓库库存编号：497-5811-5-ND
  别名：497-5811-5
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N CH 150V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 56.8W（Tc） D-Pak
  
  型号：FDD770N15A
  仓库库存编号：FDD770N15ACT-ND
  别名：FDD770N15ACT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 18A（Tc） 57W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR5505TRPBF
  仓库库存编号：IRFR5505PBFCT-ND
  别名：*IRFR5505TRPBF
  IRFR5505PBFCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 18A 1212-8 PPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 18A（Tc） 3.7W（Ta），39.1W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS407ADN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS407ADN-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS407ADN-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF640NSTRLPBF
  仓库库存编号：IRF640NSTRLPBFCT-ND
  别名：IRF640NSTRLPBFCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 18A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 41W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF33N10L
  仓库库存编号：FQPF33N10LFS-ND
  别名：FQPF33N10L-ND
  FQPF33N10LFS
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 18A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 18A（Tc） 88W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF9Z34PBF
  仓库库存编号：IRF9Z34PBF-ND
  别名：*IRF9Z34PBF
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 100W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB4020PBF
  仓库库存编号：IRFB4020PBF-ND
  别名：SP001564028
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 3.1W（Ta），130W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF640SPBF
  仓库库存编号：IRF640SPBF-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 18A（Tc） 3.7W（Ta），88W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9Z34SPBF
  仓库库存编号：IRF9Z34SPBF-ND
  别名：IRF9Z34SPBFCT
  IRF9Z34SPBFCT-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 50V 18A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 18A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF9Z30PBF
  仓库库存编号：IRF9Z30PBF-ND
  别名：*IRF9Z30PBF
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 18A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 38.5W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF18N50T
  仓库库存编号：FDPF18N50T-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 18A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 235W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP18N50
  仓库库存编号：FDP18N50-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 18A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 150W（Tc） TO-220
  
  型号：STP24N60M2
  仓库库存编号：497-13556-5-ND
  别名：497-13556-5
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 30W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：STF24N60DM2
  仓库库存编号：497-15115-5-ND
  别名：497-15115-5
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 80V 40A 8TSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 700mW（Ta），42W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
  
  型号：TPN13008NH,L1Q
  仓库库存编号：TPN13008NHL1QCT-ND
  别名：TPN13008NHL1QCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 49W（Tc） TO-252AA
  
  型号：RFD12N06RLESM9A
  仓库库存编号：RFD12N06RLESM9ACT-ND
  别名：RFD12N06RLESM9ACT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
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