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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 18A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 18A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） TO-262
  
  型号：IRLZ24NL
  仓库库存编号：IRLZ24NL-ND
  别名：*IRLZ24NL
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 18A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR18N15DTRL
  仓库库存编号：IRFR18N15DTRL-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 18A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR18N15DTR
  仓库库存编号：IRFR18N15DTR-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 18A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR18N15DTRR
  仓库库存编号：IRFR18N15DTRR-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 55V 18A（Tc） 57W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR5505TRL
  仓库库存编号：IRFR5505TRL-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 55V 18A（Tc） 57W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR5505TRR
  仓库库存编号：IRFR5505TRR-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 18A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRLZ24NSTRL
  仓库库存编号：IRLZ24NSTRL-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 18A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRLZ24NSTRR
  仓库库存编号：IRLZ24NSTRR-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 18A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 18A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB4212PBF
  仓库库存编号：IRFB4212PBF-ND
  别名：SP001555992
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 18A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 18A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） TO-262
  
  型号：IRLZ24NLPBF
  仓库库存编号：IRLZ24NLPBF-ND
  别名：*IRLZ24NLPBF
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 18A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 18A（Tc） 47W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD640N06LGBTMA1
  仓库库存编号：IPD640N06LGBTMA1CT-ND
  别名：IPD640N06LGINCT
  IPD640N06LGINCT-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 55V 18A（Tc） 57W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR5505CPBF
  仓库库存编号：IRFR5505CPBF-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 55V 18A（Tc） 57W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR5505CTRLPBF
  仓库库存编号：IRFR5505CTRLPBF-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 18A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 18A（Tc） 100W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFSL4020PBF
  仓库库存编号：IRFSL4020PBF-ND
  别名：SP001565208
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 55V 18A（Tc） 57W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR5505GTRPBF
  仓库库存编号：IRFR5505GTRPBFCT-ND
  别名：IRFR5505GTRPBFCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 18A（Tc） 79W（Tc） DPAK
  
  型号：PHD18NQ10T,118
  仓库库存编号：PHD18NQ10T,118-ND
  别名：934055700118
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 55V 18A（Tc） 57W（Tc） D-Pak
  
  型号：AUIRFR5505
  仓库库存编号：AUIRFR5505-ND
  别名：SP001519564
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
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