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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB24N60M2
  仓库库存编号：497-13575-1-ND
  别名：497-13575-1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
• 无铅
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• IXYS
  MOSFET P-CH 100V 18A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 18A（Tc） 83W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP18P10T
  仓库库存编号：IXTP18P10T-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
• 无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 18A EP TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP25N60M2-EP
  仓库库存编号：497-15892-5-ND
  别名：497-15892-5
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 18A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 45W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRLZ24NPBF
  仓库库存编号：IRLZ24NPBF-ND
  别名：*IRLZ24NPBF
  SP001553022
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF640NPBF
  仓库库存编号：IRF640NPBF-ND
  别名：*IRF640NPBF
  SP001570078
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 18A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 150W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF640NLPBF
  仓库库存编号：IRF640NLPBF-ND
  别名：*IRF640NLPBF
  SP001563296
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 18A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 223W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP18N50C-E3
  仓库库存编号：SIHP18N50C-E3-ND
  别名：SIHP18N50CE3
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
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  无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 18A EP TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF25N60M2-EP
  仓库库存编号：497-15886-5-ND
  别名：497-15886-5
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
• 无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 540W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH18N90P
  仓库库存编号：IXFH18N90P-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
• 无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 18A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STFU24N60M2
  仓库库存编号：497-16110-5-ND
  别名：497-16110-5
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 600 V, 0.168 OHM TYP.,
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STFH24N60M2
  仓库库存编号：497-16596-5-ND
  别名：497-16596-5
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
• 无铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 625W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT18M100B
  仓库库存编号：APT18M100B-ND
  别名：APT18M100BMI
  APT18M100BMI-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
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  无铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 18A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 18A（Tc） 545W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT17F120J
  仓库库存编号：APT17F120J-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
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  无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 3.1W（Ta），130W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：IRF640STRRPBF
  仓库库存编号：IRF640STRRPBFCT-ND
  别名：IRF640STRRPBFCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 33.8W（Tc） TO-220
  
  型号：TSM60NB190CZ C0G
  仓库库存编号：TSM60NB190CZ C0G-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 18A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 39W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHF18N50D-E3
  仓库库存编号：SIHF18N50D-E3-ND
  别名：SIHF18N50DE3
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
• 无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 18A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 140W（Tc） I2PAK
  
  型号：STB21NM50N-1
  仓库库存编号：497-5727-ND
  别名：497-5727
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 18A TO-220F-3
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 41W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF18N20FT
  仓库库存编号：FDPF18N20FT-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 18A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 41W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF33N10
  仓库库存编号：FQPF33N10-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 18A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 26W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPAW60R180P7SXKSA1
  仓库库存编号：IPAW60R180P7SXKSA1-ND
  别名：SP001606072
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 72W（Tc） PG-TO220-3
  
  型号：IPP60R180P7XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R180P7XKSA1-ND
  别名：SP001606038
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 18A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 26W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA60R180P7XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R180P7XKSA1-ND
  别名：SP001606042
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 330V 18A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB18NF30
  仓库库存编号：497-12970-1-ND
  别名：497-12970-1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 565W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT12067B2FLLG
  仓库库存编号：APT12067B2FLLG-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 18A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 18A（Tc） 520W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APL1001J
  仓库库存编号：APL1001J-ND
  别名：APL1001JMI
  APL1001JMI-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
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