规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(242)
分立半导体产品
(242)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (6)
Diodes Incorporated (3)
Global Power Technologies Group (6)
Infineon Technologies (46)
IXYS (23)
Microsemi Corporation (19)
Nexperia USA Inc. (6)
NXP USA Inc. (1)
Fairchild/ON Semiconductor (35)
Rohm Semiconductor (1)
Sanken (1)
STMicroelectronics (39)
Taiwan Semiconductor Corporation (10)
Toshiba Semiconductor and Storage (1)
Vishay Siliconix (45)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 100W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS4020TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS4020TRLPBFCT-ND
别名:IRFS4020TRLPBFCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 18A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 72W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R180P7ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R180P7ATMA1CT-ND
别名:IPD60R180P7ATMA1CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
STD20NF20
仓库库存编号:
497-5810-1-ND
别名:497-5810-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 18A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 125W(Tc) PowerFlat?(8x8) HV
型号:
STL24N60M2
仓库库存编号:
497-14214-1-ND
别名:497-14214-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 18A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 38.5W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF18N50
仓库库存编号:
FDPF18N50-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
STP20NF20
仓库库存编号:
497-5812-5-ND
别名:497-5812-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 18A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 150W(Tc) TO-220
型号:
STP24N60DM2
仓库库存编号:
497-14571-5-ND
别名:497-14571-5
STP24N60DM2-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 18A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9Z34STRLPBF
仓库库存编号:
IRF9Z34STRLPBFCT-ND
别名:IRF9Z34STRLPBFCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -60V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 18A(Tc) 20W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM680P06CP ROG
仓库库存编号:
TSM680P06CP ROGTR-ND
别名:TSM680P06CP ROGTR
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -60V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 18A(Tc) 20W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM680P06CP ROG
仓库库存编号:
TSM680P06CP ROGCT-ND
别名:TSM680P06CP ROGCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -60V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 18A(Tc) 20W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM680P06CP ROG
仓库库存编号:
TSM680P06CP ROGDKR-ND
别名:TSM680P06CP ROGDKR
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 51W(Tc) DPAK
型号:
BUK7277-55A,118
仓库库存编号:
1727-7160-1-ND
别名:1727-7160-1
568-9643-1
568-9643-1-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V POWERPAK 1212-8W
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 62.5W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SQSA80ENW-T1_GE3
仓库库存编号:
SQSA80ENW-T1_GE3CT-ND
别名:SQSA80ENW-T1_GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -60V,
详细描述:通孔 P 沟道 18A(Tc) 20W(Tc) TO-251(IPAK)
型号:
TSM680P06CH X0G
仓库库存编号:
TSM680P06CH X0G-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 150.6W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
TSM60NB190CM2 RNG
仓库库存编号:
TSM60NB190CM2 RNGTR-ND
别名:TSM60NB190CM2 RNGTR
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 150.6W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
TSM60NB190CM2 RNG
仓库库存编号:
TSM60NB190CM2 RNGCT-ND
别名:TSM60NB190CM2 RNGCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 150.6W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
TSM60NB190CM2 RNG
仓库库存编号:
TSM60NB190CM2 RNGDKR-ND
别名:TSM60NB190CM2 RNGDKR
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 18A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 130W(Tc) D2PAK
型号:
STB20N65M5
仓库库存编号:
497-13639-1-ND
别名:497-13639-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 18A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STP36NF06FP
仓库库存编号:
497-16203-5-ND
别名:497-16203-5
STP36NF06FP-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 18A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 130W(Tc) I2PAK
型号:
STI20N65M5
仓库库存编号:
497-13774-5-ND
别名:497-13774-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 18A TO-3PF
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 48W(Tc) TO-3PF
型号:
STFW20N65M5
仓库库存编号:
STFW20N65M5-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 18A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 150W(Tc) TO-247
型号:
STW25N60M2-EP
仓库库存编号:
STW25N60M2-EP-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N CH 650V 18A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
STF20N65M5
仓库库存编号:
497-13532-ND
别名:497-13532
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 59.5W(Tc) ITO-220S
型号:
TSM60NB190CF C0G
仓库库存编号:
TSM60NB190CF C0G-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 33.8W(Tc) ITO-220
型号:
TSM60NB190CI C0G
仓库库存编号:
TSM60NB190CI C0G-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
无铅
搜索
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号