规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 18A(Tc) 52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7153DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7153DN-T1-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N CH 30V 18A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 3.1W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4498
仓库库存编号:
785-1293-1-ND
别名:785-1293-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
N-CH 30-V (D-S) MOSFET W/SCHOTTK
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 27.7W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS780DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS780DN-T1-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 51W(Tc) DPAK
型号:
PHD20N06T,118
仓库库存编号:
PHD20N06T,118-ND
别名:934056617118
PHD20N06T /T3
PHD20N06T /T3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 2.4W PowerDI3333-8
型号:
DMN6069SFGQ-13
仓库库存编号:
DMN6069SFGQ-13-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 2.4W PowerDI3333-8
型号:
DMN6069SFGQ-7
仓库库存编号:
DMN6069SFGQ-7-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 18A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 79W(Tc) D2PAK
型号:
PHB18NQ10T,118
仓库库存编号:
PHB18NQ10T,118-ND
别名:934055699118
PHB18NQ10T /T3
PHB18NQ10T /T3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
无铅
搜索
Sanken
MOSFET N-CH 100V 18A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 32W(Tc) TO-220F
型号:
FKI10531
仓库库存编号:
FKI10531-ND
别名:FKI10531 DK
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 18A(Tc) 52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS447DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS447DN-T1-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 110V 18A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 79W(Tc) TO-220AB
型号:
PHP18NQ11T,127
仓库库存编号:
1727-4638-ND
别名:1727-4638
568-5755
568-5755-5
568-5755-5-ND
568-5755-ND
934058144127
PHP18NQ11T
PHP18NQ11T,127-ND
PHP18NQ11T-ND
PHP18NQ11T127
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 62W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SQ7414AENW-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ7414AENW-T1_GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 2.5W(Ta),5W(Tc) 8-SO
型号:
SI4116DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4116DY-T1-E3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 18A PPAK 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 18A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7322DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7322DN-T1-E3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 18A(Tc) 6.8W(Tc) 8-SOIC
型号:
SQ4425EY-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ4425EY-T1_GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
搜索
Infineon Technologies
CONSUMER
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 18A(Tc) 72W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R180P7SAUMA1
仓库库存编号:
IPD60R180P7SAUMA1CT-ND
别名:IPD60R180P7SAUMA1CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 650V 18A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 50W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF18N65L
仓库库存编号:
AOTF18N65L-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 650V 18A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 50W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF18N65
仓库库存编号:
785-1431-5-ND
别名:785-1431-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 179W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP18N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHP18N60E-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 34W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHA18N60E-E3
仓库库存编号:
SIHA18N60E-E3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 179W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SIHB18N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHB18N60E-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 18A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9Z34STRRPBF
仓库库存编号:
IRF9Z34STRRPBF-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET P-CH 100V 18A TO-263
详细描述:表面贴装 P 沟道 18A(Tc) 83W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA18P10T
仓库库存编号:
IXTA18P10T-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 18A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 26W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA60R180P7SXKSA1
仓库库存编号:
IPA60R180P7SXKSA1-ND
别名:SP001606066
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 18A TO-252
详细描述:表面贴装 P 沟道 18A(Tc) 83W(Tc) TO-252
型号:
IXTY18P10T
仓库库存编号:
IXTY18P10T-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 650V 18A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 417W(Tc) TO-247
型号:
AOK18N65L
仓库库存编号:
785-1589-5-ND
别名:785-1456-5
785-1456-5-ND
785-1589-5
AOK18N65
AOK18N65L-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
无铅
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