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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 18A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 18A（Tc） 88W（Tc） TO-220-3
  
  型号：SUP18N15-95-E3
  仓库库存编号：SUP18N15-95-E3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
• 无铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 18A（Tc） 565W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT12067B2LLG
  仓库库存编号：APT12067B2LLG-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
• 无铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET P-CH 100V 18A TO-254AA
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 18A（Tc） 4W（Ta），125W（Tc） TO-254AA
  
  型号：JAN2N7236
  仓库库存编号：JAN2N7236-ND
  别名：JAN2N7236-MIL
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
• 含铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET P-CH 100V 18A TO-267AB
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 18A（Tc） 4W（Ta），125W（Tc） TO-267AB
  
  型号：JAN2N7236U
  仓库库存编号：JAN2N7236U-ND
  别名：JAN2N7236U-MIL
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
• 含铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET P-CH 100V 18A
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 18A（Tc） 4W（Ta），125W（Tc） TO-254AA
  
  型号：JANTX2N7236
  仓库库存编号：JANTX2N7236-ND
  别名：JANTX2N7236-MIL
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
• 含铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET P-CH 100V 18A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 18A（Tc） 4W（Ta），125W（Tc） TO-267AB
  
  型号：JANTX2N7236U
  仓库库存编号：JANTX2N7236U-ND
  别名：JANTX2N7236U-MIL
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
• 含铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET P-CH 100V 18A
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 18A（Tc） 4W（Ta），125W（Tc） TO-254AA
  
  型号：JANTXV2N7236
  仓库库存编号：JANTXV2N7236-ND
  别名：JANTXV2N7236-MIL
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
• 含铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET P-CH 100V 18A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 18A（Tc） 4W（Ta），125W（Tc） TO-267AB
  
  型号：JANTXV2N7236U
  仓库库存编号：JANTXV2N7236U-ND
  别名：JANTXV2N7236U-MIL
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
• 含铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET P-CH 100V TO-254AA
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 18A（Tc） 4W（Ta），125W（Tc） TO-254AA
  
  型号：2N7236
  仓库库存编号：2N7236-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
• 含铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET P-CH 100V SMD1
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 18A（Tc） 4W（Ta），125W（Tc） TO-267AB
  
  型号：2N7236U
  仓库库存编号：2N7236U-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
• 含铅
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 200V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 18A（Tc） 94W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP1M018A020CG
  仓库库存编号：GP1M018A020CG-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
• 无铅
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 200V 18A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 18A（Tc） 30.4W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M018A020FG
  仓库库存编号：GP1M018A020FG-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
• 无铅
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 18A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 18A（Tc） 48W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP2M020A050F
  仓库库存编号：GP2M020A050F-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
• 无铅
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 200V 18A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 18A（Tc） 94W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M018A020HG
  仓库库存编号：1560-1189-5-ND
  别名：1560-1189-1
  1560-1189-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
• 无铅
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 18A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 18A（Tc） 290W（Tc） TO-220
  
  型号：GP2M020A050H
  仓库库存编号：1560-1213-5-ND
  别名：1560-1213-1
  1560-1213-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 18A（Tc） 3.1W（Ta） 8-SO
  
  型号：AO4494H
  仓库库存编号：AO4494H-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 18A（Tc） 310W（Tc） TO-247AD
  
  型号：APT6040BN
  仓库库存编号：APT6040BN-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
• 无铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 18A（Tc） 310W（Tc） TO-247AD
  
  型号：APT6040BNG
  仓库库存编号：APT6040BNG-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 18A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：64-0007
  仓库库存编号：64-0007-ND
  别名：*IRF640N
  IRF640N
  IRF640N-ND
  SP001522470
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 55V 18A（Tc） 57W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR5505
  仓库库存编号：IRFR5505-ND
  别名：*IRFR5505
  SP001573284
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 18A I-PAK
  详细描述：通孔 P 沟道 55V 18A（Tc） 57W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU5505
  仓库库存编号：IRFU5505-ND
  别名：*IRFU5505
  SP001552454
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 18A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRLZ24NS
  仓库库存编号：IRLZ24NS-ND
  别名：*IRLZ24NS
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 18A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR18N15D
  仓库库存编号：IRFR18N15D-ND
  别名：*IRFR18N15D
  SP001571432
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 18A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 18A（Tc） 110W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU18N15D
  仓库库存编号：IRFU18N15D-ND
  别名：*IRFU18N15D
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 18A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 18A（Tc） 150W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF640NL
  仓库库存编号：IRF640NL-ND
  别名：*IRF640NL
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
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