规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 24A(Tc),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 24A(Tc) 2.5W(Ta),44W(Tc) D-Pak
型号:
FQD30N06LTF
仓库库存编号:
FQD30N06LTF-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 24A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 24A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 24A(Tc) 3.75W(Ta),75W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB24N08TM
仓库库存编号:
FQB24N08TM-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 24A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 24A TO-3P
详细描述:通孔 P 沟道 100V 24A(Tc) 150W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA22P10
仓库库存编号:
FQA22P10-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 24A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 24A TO-3PF
详细描述:通孔 N 沟道 250V 24A(Tc) 108W(Tc) TO-3PF
型号:
FQAF40N25
仓库库存编号:
FQAF40N25-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 24A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 24A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 500V 24A(Tc) 290W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA24N50F
仓库库存编号:
FQA24N50F-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 24A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 24A ISOPLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 300V 24A(Tc) 100W(Tc) ISOPLUS220?
型号:
IXFC52N30P
仓库库存编号:
IXFC52N30P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 24A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 24A(Tc) 250W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR26N50Q
仓库库存编号:
IXFR26N50Q-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 24A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 24A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 500V 24A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD
型号:
IRFP470
仓库库存编号:
IRFP470-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 24A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 24A TO-3PN
详细描述:通孔 N 沟道 500V 24A(Tc) 290W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA24N50F_F109
仓库库存编号:
FQA24N50F_F109-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 24A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 24A TO-3PN
详细描述:通孔 N 沟道 500V 24A(Tc) 290W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA24N50_F109
仓库库存编号:
FQA24N50_F109-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 24A(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 24A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 24A(Tc) 25W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN023-40YLCX
仓库库存编号:
568-10157-1-ND
别名:568-10157-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 24A(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 23A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 24A(Tc) 415W(Tc) D3Pak
型号:
APT23F60S
仓库库存编号:
APT23F60S-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 24A(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 24A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 24A(Tc) 335W(Tc) D3Pak
型号:
APT24F50S
仓库库存编号:
APT24F50S-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 24A(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH DFN 3X3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 24A(Tc) 3.1W(Ta),23W(Tc) 8-DFN(3x3)
型号:
AON7518
仓库库存编号:
AON7518-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 24A(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH DFN 3X3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 24A(Tc) 3.1W(Ta),23W(Tc) 8-DFN(3x3)
型号:
AON7548
仓库库存编号:
AON7548-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 24A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 24A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 100V 24A(Tc) 56W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFI1310N
仓库库存编号:
IRFI1310N-ND
别名:*IRFI1310N
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 24A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 24A(Tc) 75W(Tc) D2PAK
型号:
IRL5602S
仓库库存编号:
IRL5602S-ND
别名:*IRL5602S
Q803261
SP001573924
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 24A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 24A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS23N20D
仓库库存编号:
IRFS23N20D-ND
别名:*IRFS23N20D
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 24A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 24A(Tc) 45W(Tc) D2PAK
型号:
IRL2703S
仓库库存编号:
IRL2703S-ND
别名:*IRL2703S
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 24A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 24A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB23N20D
仓库库存编号:
IRFB23N20D-ND
别名:*IRFB23N20D
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 24A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 24A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL23N20D
仓库库存编号:
IRFSL23N20D-ND
别名:*IRFSL23N20D
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 24A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 24A(Tc) 45W(Tc) D2PAK
型号:
IRL2703STRL
仓库库存编号:
IRL2703STRL-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 24A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 24A(Tc) 45W(Tc) D2PAK
型号:
IRL2703STRR
仓库库存编号:
IRL2703STRR-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 24A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 24A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 20V 24A(Tc) TO-262
型号:
IRL5602L
仓库库存编号:
IRL5602L-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 24A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 24A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 20V 24A(Tc) TO-220AB
型号:
IRL5602
仓库库存编号:
IRL5602-ND
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