规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.5A(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.5A(Tc) 1.56W(Tc) SOT-23
型号:
TSM240N03CX RFG
仓库库存编号:
TSM240N03CX RFGTR-ND
别名:TSM240N03CX RFGTR
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.5A(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.5A(Tc) 1.56W(Tc) SOT-23
型号:
TSM240N03CX RFG
仓库库存编号:
TSM240N03CX RFGCT-ND
别名:TSM240N03CX RFGCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.5A(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.5A(Tc) 1.56W(Tc) SOT-23
型号:
TSM240N03CX RFG
仓库库存编号:
TSM240N03CX RFGDKR-ND
别名:TSM240N03CX RFGDKR
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.5A(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.5A(Tc) 1.56W(Tc) SOT-26
型号:
TSM240N03CX6 RFG
仓库库存编号:
TSM240N03CX6 RFGTR-ND
别名:TSM240N03CX6 RFGTR
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.5A(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.5A(Tc) 1.56W(Tc) SOT-26
型号:
TSM240N03CX6 RFG
仓库库存编号:
TSM240N03CX6 RFGCT-ND
别名:TSM240N03CX6 RFGCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.5A(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.5A(Tc) 1.56W(Tc) SOT-26
型号:
TSM240N03CX6 RFG
仓库库存编号:
TSM240N03CX6 RFGDKR-ND
别名:TSM240N03CX6 RFGDKR
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.5A(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.5A(Tc) 9W(Tc) SOT-223
型号:
TSM950N10CW RPG
仓库库存编号:
TSM950N10CW RPGTR-ND
别名:TSM950N10CW RPGTR
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.5A(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.5A(Tc) 9W(Tc) SOT-223
型号:
TSM950N10CW RPG
仓库库存编号:
TSM950N10CW RPGCT-ND
别名:TSM950N10CW RPGCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.5A(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.5A(Tc) 9W(Tc) SOT-223
型号:
TSM950N10CW RPG
仓库库存编号:
TSM950N10CW RPGDKR-ND
别名:TSM950N10CW RPGDKR
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.5A(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, DUAL, N-CHANNEL, TRENCH,
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 6.5A (Tc) 1.04W Surface Mount 8-TSSOP
型号:
TSM6968DCA RVG
仓库库存编号:
TSM6968DCA RVGTR-ND
别名:TSM6968DCA RVGTR
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.5A(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, DUAL, N-CHANNEL, TRENCH,
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 6.5A (Tc) 1.04W Surface Mount 8-TSSOP
型号:
TSM6968DCA RVG
仓库库存编号:
TSM6968DCA RVGCT-ND
别名:TSM6968DCA RVGCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.5A(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, DUAL, N-CHANNEL, TRENCH,
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 6.5A (Tc) 1.04W Surface Mount 8-TSSOP
型号:
TSM6968DCA RVG
仓库库存编号:
TSM6968DCA RVGDKR-ND
别名:TSM6968DCA RVGDKR
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.5A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 6.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 6.5A(Tc) 90W(Tc) DPAK
型号:
FDD8N50NZTM
仓库库存编号:
FDD8N50NZTMTUBE-ND
别名:FDD8N50NZTMTUBE
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.5A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 6.5A(Tc) TO-220ABFP
型号:
IXKP13N60C5M
仓库库存编号:
IXKP13N60C5M-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.5A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 6.5A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 200V 6.5A(Tc) 74W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9630
仓库库存编号:
IRF9630-ND
别名:*IRF9630
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.5A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 6.5A(Tc) 3W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9630S
仓库库存编号:
IRF9630S-ND
别名:*IRF9630S
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.5A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 6.5A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 200V 6.5A(Tc) I2PAK
型号:
IRF9630L
仓库库存编号:
IRF9630L-ND
别名:*IRF9630L
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.5A(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 6.5A(Tc) 3W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9630STRL
仓库库存编号:
IRF9630STRL-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.5A(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 6.5A(Tc) 3W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9630STRR
仓库库存编号:
IRF9630STRR-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.5A(Tc),
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 6.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 6.5A(Tc) 63W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP7N20L
仓库库存编号:
FQP7N20L-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.5A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 6.5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 200V 6.5A(Tc) 36W(Tc) TO-220
型号:
IRLS630A
仓库库存编号:
IRLS630A-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.5A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 6.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 6.5A(Tc) 3.13W(Ta),63W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB7N20LTM
仓库库存编号:
FQB7N20LTM-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.5A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 6.5A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 200V 6.5A(Tc) 70W(Tc) TO-220-3
型号:
SFP9630
仓库库存编号:
SFP9630-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.5A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 6.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 6.5A(Tc) 1.25W(Ta),20W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD06N10-225L-E3
仓库库存编号:
SUD06N10-225L-E3CT-ND
别名:SUD06N10-225L-E3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.5A(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V 6.5A TO-39
详细描述:通孔 P 沟道 100V 6.5A(Tc) 800mW(Ta),25W(Tc) TO-39
型号:
JAN2N6849
仓库库存编号:
JAN2N6849-ND
别名:JAN2N6849-MIL
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.5A(Tc),
含铅
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