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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 3A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 3A（Tc） 39W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF5N50
  仓库库存编号：FQPF5N50-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 3A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 3A（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB3N80TM
  仓库库存编号：FQB3N80TM-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 3A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 3A（Tc） 3.13W（Ta），107W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI3N80TU
  仓库库存编号：FQI3N80TU-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3A（Tc）,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 3A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 3A（Tc） 107W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP3N80
  仓库库存编号：FQP3N80-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3A（Tc）,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 3A（Tc） 40W（Tc） D-Pak
  
  型号：FDD5N50UTF_WS
  仓库库存编号：FDD5N50UTF_WS-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3A（Tc）,
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  无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 3A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3A（Tc） 75W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB3N60CTM
  仓库库存编号：FQB3N60CTM-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 3A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 3A（Tc） 25W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF3N50C
  仓库库存编号：FQPF3N50C-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3A（Tc）,
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• Texas Instruments
  MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3A（Tc） 1.5W（Ta） 6-DSBGA（1x1.5）
  
  型号：CSD25303W1015
  仓库库存编号：296-28317-1-ND
  别名：296-28317-1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3A（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-205AF TO-39
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 3A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） TO-39
  
  型号：JAN2N6800
  仓库库存编号：JAN2N6800-ND
  别名：JAN2N6800-MIL
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3A（Tc）,
• 含铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 18-LCC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 3A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
  
  型号：JAN2N6800U
  仓库库存编号：JAN2N6800U-ND
  别名：JAN2N6800U-MIL
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3A（Tc）,
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  含铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 3A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） TO-205AF（TO-39）
  
  型号：JANTX2N6800
  仓库库存编号：JANTX2N6800-ND
  别名：JANTX2N6800-MIL
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3A（Tc）,
• 含铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 3A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
  
  型号：JANTX2N6800U
  仓库库存编号：JANTX2N6800U-ND
  别名：JANTX2N6800U-MIL
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3A（Tc）,
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  含铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 3A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） TO-205AF（TO-39）
  
  型号：JANTXV2N6800
  仓库库存编号：JANTXV2N6800-ND
  别名：JANTXV2N6800-MIL
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3A（Tc）,
• 含铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 3A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
  
  型号：JANTXV2N6800U
  仓库库存编号：JANTXV2N6800U-ND
  别名：JANTXV2N6800U-MIL
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3A（Tc）,
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  含铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 400V TO-205AF TO-39
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 3A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） TO-39
  
  型号：2N6800
  仓库库存编号：2N6800-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3A（Tc）,
• 含铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 400V 18LCC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 3A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
  
  型号：2N6800U
  仓库库存编号：2N6800U-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3A（Tc）,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 800V 3A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 3A（Tc） 94W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M003A080H
  仓库库存编号：GP1M003A080H-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3A（Tc）,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 800V 3A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 3A（Tc） 94W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP1M003A080PH
  仓库库存编号：GP1M003A080PH-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3A（Tc）,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 800V 3A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 3A（Tc） 94W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：GP1M003A080CH
  仓库库存编号：1560-1155-1-ND
  别名：1560-1155-1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3A（Tc）,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 800V 3A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 3A（Tc） 32W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M003A080FH
  仓库库存编号：1560-1156-5-ND
  别名：1560-1156-1
  1560-1156-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3A（Tc）,
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