规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3A(Tc),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 3A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 500V 3A(Tc) 39W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF5N50
仓库库存编号:
FQPF5N50-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 3A(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB3N80TM
仓库库存编号:
FQB3N80TM-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 3A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 800V 3A(Tc) 3.13W(Ta),107W(Tc) I2PAK
型号:
FQI3N80TU
仓库库存编号:
FQI3N80TU-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 3A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 3A(Tc) 107W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP3N80
仓库库存编号:
FQP3N80-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 3A(Tc) 40W(Tc) D-Pak
型号:
FDD5N50UTF_WS
仓库库存编号:
FDD5N50UTF_WS-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 3A(Tc) 75W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB3N60CTM
仓库库存编号:
FQB3N60CTM-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 3A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 500V 3A(Tc) 25W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF3N50C
仓库库存编号:
FQPF3N50C-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3A(Tc),
无铅
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Texas Instruments
MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 3A(Tc) 1.5W(Ta) 6-DSBGA(1x1.5)
型号:
CSD25303W1015
仓库库存编号:
296-28317-1-ND
别名:296-28317-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3A(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-205AF TO-39
详细描述:通孔 N 沟道 400V 3A(Tc) 800mW(Ta),25W(Tc) TO-39
型号:
JAN2N6800
仓库库存编号:
JAN2N6800-ND
别名:JAN2N6800-MIL
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3A(Tc),
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 18-LCC
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 3A(Tc) 800mW(Ta),25W(Tc) 18-ULCC(9.14x7.49)
型号:
JAN2N6800U
仓库库存编号:
JAN2N6800U-ND
别名:JAN2N6800U-MIL
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3A(Tc),
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH
详细描述:通孔 N 沟道 400V 3A(Tc) 800mW(Ta),25W(Tc) TO-205AF(TO-39)
型号:
JANTX2N6800
仓库库存编号:
JANTX2N6800-ND
别名:JANTX2N6800-MIL
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3A(Tc),
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 3A(Tc) 800mW(Ta),25W(Tc) 18-ULCC(9.14x7.49)
型号:
JANTX2N6800U
仓库库存编号:
JANTX2N6800U-ND
别名:JANTX2N6800U-MIL
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3A(Tc),
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH
详细描述:通孔 N 沟道 400V 3A(Tc) 800mW(Ta),25W(Tc) TO-205AF(TO-39)
型号:
JANTXV2N6800
仓库库存编号:
JANTXV2N6800-ND
别名:JANTXV2N6800-MIL
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3A(Tc),
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 3A(Tc) 800mW(Ta),25W(Tc) 18-ULCC(9.14x7.49)
型号:
JANTXV2N6800U
仓库库存编号:
JANTXV2N6800U-ND
别名:JANTXV2N6800U-MIL
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3A(Tc),
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 400V TO-205AF TO-39
详细描述:通孔 N 沟道 400V 3A(Tc) 800mW(Ta),25W(Tc) TO-39
型号:
2N6800
仓库库存编号:
2N6800-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3A(Tc),
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 400V 18LCC
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 3A(Tc) 800mW(Ta),25W(Tc) 18-ULCC(9.14x7.49)
型号:
2N6800U
仓库库存编号:
2N6800U-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3A(Tc),
含铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 800V 3A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 3A(Tc) 94W(Tc) TO-220
型号:
GP1M003A080H
仓库库存编号:
GP1M003A080H-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3A(Tc),
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 800V 3A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 800V 3A(Tc) 94W(Tc) I-Pak
型号:
GP1M003A080PH
仓库库存编号:
GP1M003A080PH-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3A(Tc),
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 800V 3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 3A(Tc) 94W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
GP1M003A080CH
仓库库存编号:
1560-1155-1-ND
别名:1560-1155-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3A(Tc),
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 800V 3A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 800V 3A(Tc) 32W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M003A080FH
仓库库存编号:
1560-1156-5-ND
别名:1560-1156-1
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