规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 60A(Tc) 5.2W(Ta),125W(Tc) 10-PolarPAK?(L)
型号:
SIE854DF-T1-E3
仓库库存编号:
SIE854DF-T1-E3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 60A(Tc) 5.2W(Ta),104W(Tc) 10-PolarPAK?(M)
型号:
SIE860DF-T1-E3
仓库库存编号:
SIE860DF-T1-E3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 60A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 60A(Tc) 3.75W(Ta),120W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP60N02-4M5P-E3
仓库库存编号:
SUP60N02-4M5P-E3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 60A(Tc) 3.25W(Ta),100W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP60N06-12P-E3
仓库库存编号:
SUP60N06-12P-E3-ND
别名:SUP60N0612PE3
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 60A(Tc) 3.25W(Ta),100W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP60N06-12P-GE3
仓库库存编号:
SUP60N06-12P-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 60A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP60N10-16L-E3
仓库库存编号:
SUP60N10-16L-E3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 60A(Tc) 3.75W(Ta),150W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP60N10-18P-E3
仓库库存编号:
SUP60N10-18P-E3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 60A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 60A(Tc) 1.8W(Ta),88W(Tc) TO-263
型号:
NP60N03KUG-E1-AY
仓库库存编号:
NP60N03KUG-E1-AY-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 60A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 60A(Tc) 1.8W(Ta),88W(Tc) TO-263
型号:
NP60N04KUG-E1-AY
仓库库存编号:
NP60N04KUG-E1-AY-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 60A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 40V 60A(Tc) 1.8W(Ta),88W(Tc) TO-220
型号:
NP60N04MUG-S18-AY
仓库库存编号:
NP60N04MUG-S18-AY-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 60A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 60A(Tc) 1.8W(Ta),88W(Tc) TO-263
型号:
NP60N055KUG-E1-AY
仓库库存编号:
NP60N055KUG-E1-AY-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 60A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 60A(Tc) 1.2W(Ta),105W(Tc) TO-252(MP-3ZK)
型号:
NP60N03SUG-E1-AY
仓库库存编号:
NP60N03SUG-E1-AYCT-ND
别名:NP60N03SUG-E1-AYCT
NP60N03SUGE1AY
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 25V 60A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 60A(Tc) 2W(Ta),75W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD4128
仓库库存编号:
AOD4128-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR640DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR640DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR640DP-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 60A TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 60A(Tc) 3W(Ta),93.7W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50P04-13L-E3
仓库库存编号:
SUD50P04-13L-E3CT-ND
别名:SUD50P04-13L-E3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 60A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 40V 60A(Tc) 1.8W(Ta),105W(Tc) TO-220
型号:
NP60N04MUK-S18-AY
仓库库存编号:
NP60N04MUK-S18-AY-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 60A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 40V 60A(Tc) 1.8W(Ta),105W(Tc) TO-262-3
型号:
NP60N04NUK-S18-AY
仓库库存编号:
NP60N04NUK-S18-AY-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 60A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 60A(Tc) 1.2W(Ta),105W(Tc) TO-252
型号:
NP60N04VUK-E1-AY
仓库库存编号:
NP60N04VUK-E1-AY-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 60A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 60A(Tc) 1.8W(Ta),105W(Tc) TO-220
型号:
NP60N055MUK-S18-AY
仓库库存编号:
NP60N055MUK-S18-AY-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 60A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 60A(Tc) 1.8W(Ta),105W(Tc) TO-262
型号:
NP60N055NUK-S18-AY
仓库库存编号:
NP60N055NUK-S18-AY-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 60A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 60A(Tc) 1.2W(Ta),105W(Tc) TO-252-3
型号:
NP60N055VUK-E1-AY
仓库库存编号:
NP60N055VUK-E1-AY-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 8SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 60A(Tc) 5W(Ta),54W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR646DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR646DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR646DP-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR814DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR814DP-T1-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 60A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 60A(Tc) 48W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3704ZTRL
仓库库存编号:
IRFR3704ZTRL-ND
别名:*IRFR3704Z
IRFR3704Z
IRFR3704Z-ND
SP001556946
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 60A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 250V 60A(Tc) 430W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP4232PBF
仓库库存编号:
IRFP4232PBF-ND
别名:Q2102191
SP001571078
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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