规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 60A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 60A（Tc） 52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SISA24DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SISA24DN-T1-GE3CT-ND
别名：SISA24DN-T1-GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 60A（Tc） 57W（Tc） PowerPAK? 1212-8S（3.3x3.3）
型号：
SISS10DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SISS10DN-T1-GE3CT-ND
别名：SISS10DN-T1-GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 60A SO8
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 60A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJA82EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJA82EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJA82EP-T1_GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8L
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 60A（Tc） 36.7W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIJA54DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIJA54DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIJA54DP-T1-GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 60A（Tc） 81W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
型号：
TPH7R006PL,L1Q
仓库库存编号：
TPH7R006PLL1QCT-ND
别名：TPH7R006PLL1QCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A SO8
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 60A（Tc） 56.8W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIRA72DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIRA72DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIRA72DP-T1-GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 60A（Tc） 27.7W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIRA58DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIRA58DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIRA58DP-T1-GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 60A SO-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 60A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJ407EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJ407EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJ407EP-T1_GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 60A（Tc） 5.2W（Ta），69W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR644DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR644DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR644DP-T1-GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 60A（Tc） 48W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIRA52DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIRA52DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIRA52DP-T1-GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET ARRAY 2N-CH 30V POWERPAIR
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 60A (Tc) 38W (Tc), 83W (Tc) Surface Mount PowerPAIR? 6x5F
型号：
SIZF906DT-T1-GE3
仓库库存编号：
SIZF906DT-T1-GE3CT-ND
别名：SIZF906DT-T1-GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 60A（Tc） 4.8W（Ta），41.7W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR642DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR642DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR642DP-T1-GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR640ADP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR640ADP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR640ADP-T1-GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 25V 8PDFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 1.8W（Ta） 8-PDFN（3x3）
型号：
MCP87055T-U/LC
仓库库存编号：
MCP87055T-U/LCCT-ND
别名：MCP87055T-U/LCCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Texas Instruments
30V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 2.8W（Ta），63W（Tc） 8-VSONP（3x3.15）
型号：
CSD17581Q3AT
仓库库存编号：
296-45025-1-ND
别名：296-45025-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A SO8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 48W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJ860EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJ860EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJ860EP-T1_GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 40V 60A 8POWERFLAT
详细描述：表面贴装 P 沟道 60A（Tc） 100W（Tc） PowerFlat?（5x6）
型号：
STL60P4LLF6
仓库库存编号：
497-15480-1-ND
别名：497-15480-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 17A POWERFLAT
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 60W（Tc） PowerFlat?（5x6）
型号：
STL60N3LLH5
仓库库存编号：
497-11094-1-ND
别名：497-11094-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A SO8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJ444EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJ444EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJ444EP-T1_GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 60A SO8
详细描述：表面贴装 P 沟道 60A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJ411EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJ411EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJ411EP-T1_GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 60A SO8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJA80EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJA80EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJA80EP-T1_GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 60A POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 150W（Tc） Power56
型号：
FDMS5360L_F085
仓库库存编号：
FDMS5360L_F085CT-ND
别名：FDMS5360L_F085CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5W（Ta），69.4W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIJ482DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIJ482DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIJ482DP-T1-GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR438DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR438DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR438DP-T1-GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V POWERDI5060-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 60A（Tc） 2.3W（Ta） PowerDI5060-8
型号：
DMP22M2UPS-13
仓库库存编号：
DMP22M2UPS-13DICT-ND
别名：DMP22M2UPS-13DICT
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