规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 60A POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 5.2W(Ta),125W(Tc) 10-PolarPAK?(L)
型号:
SIE808DF-T1-GE3
仓库库存编号:
SIE808DF-T1-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 60A POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 5.2W(Ta),125W(Tc) 10-PolarPAK?(L)
型号:
SIE876DF-T1-GE3
仓库库存编号:
SIE876DF-T1-GE3CT-ND
别名:SIE876DF-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 60A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 500W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP60N20T
仓库库存编号:
IXTP60N20T-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 60A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 500W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA60N20T
仓库库存编号:
IXTA60N20T-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 60A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ60N30T
仓库库存编号:
IXTQ60N30T-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 60A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH60N30T
仓库库存编号:
IXTH60N30T-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 60A PLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) PLUS220
型号:
IXTV60N30T
仓库库存编号:
IXTV60N30T-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 60A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 275W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH60N15
仓库库存编号:
IXTH60N15-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 60A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 250V 60A(Tc) 400W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH60N25
仓库库存编号:
IXTH60N25-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 60A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 60A(Tc) 890W(Tc) TO-247
型号:
IXFH60N60X
仓库库存编号:
IXFH60N60X-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 60A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 600V 60A(Tc) 890W(Tc) TO-3P
型号:
IXFQ60N60X
仓库库存编号:
IXFQ60N60X-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 60A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 200V 60A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH60N20
仓库库存编号:
IXFH60N20-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 60A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 60A(Tc) 300W(Tc) TO-268
型号:
IXTT60N10
仓库库存编号:
IXTT60N10-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 60A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 300V 60A(Tc) 250W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR102N30P
仓库库存编号:
IXFR102N30P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 300V 60A MAX247
详细描述:通孔 N 沟道 300V 60A(Tc) 450W(Tc) MAX247?
型号:
STY60NK30Z
仓库库存编号:
497-4432-5-ND
别名:497-4432-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 60A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 60A(Tc) 360W(Tc) TO-268
型号:
IXFT60N25Q
仓库库存编号:
IXFT60N25Q-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 60A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 250V 60A(Tc) 360W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH60N25Q
仓库库存编号:
IXFH60N25Q-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 60A TO-264AA
详细描述:通孔 N 沟道 250V 60A(Tc) 360W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK60N25Q
仓库库存编号:
IXFK60N25Q-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 60A MAX247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 60A(Tc) 560W(Tc) MAX247?
型号:
STY60NM60
仓库库存编号:
497-3268-5-ND
别名:497-3268-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 56A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 600V 60A(Tc) 1040W(Tc) TO-264
型号:
APT56M60L
仓库库存编号:
APT56M60L-ND
别名:APT56M60LMI
APT56M60LMI-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 56A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 600V 60A(Tc) 1040W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT56M60B2
仓库库存编号:
APT56M60B2-ND
别名:APT56M60B2MP
APT56M60B2MP-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 60A(Tc) 431W(Tc) D3Pak
型号:
APT60N60SCSG/TR
仓库库存编号:
APT60N60SCSG/TR-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 60A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 600V 60A(Tc) 1040W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT56F60L
仓库库存编号:
APT56F60L-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 60A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 60A(Tc) 1040W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT56F60B2
仓库库存编号:
APT56F60B2-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 60A(Tc) 431W(Tc) D3Pak
型号:
APT60N60SCSG
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APT60N60SCSG-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
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