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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 35A（Tc） 33W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7615CDN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7615CDN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7615CDN-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD35NF3LLT4
  仓库库存编号：497-2475-1-ND
  别名：497-2475-1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 35A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 210W（Tc） TO-247
  
  型号：STWA45N65M5
  仓库库存编号：497-13596-5-ND
  别名：497-13596-5
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 35A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 57W（Tc） TO-3PF
  
  型号：STFW45N65M5
  仓库库存编号：497-15539-5-ND
  别名：497-15539-5
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Rohm Semiconductor
  NCH 600V 35A POWER MOSFET
  详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 102W（Tc） TO-3PF
  
  型号：R6035KNZC8
  仓库库存编号：R6035KNZC8-ND
  别名：R6035KNZC8TR
  R6035KNZC8TR-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Transphorm
  GAN FET 650V 35A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 125W（Tc） TO-247
  
  型号：TPH3205WSBQA
  仓库库存编号：TPH3205WSBQA-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 35A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS415DNT-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS415DNT-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS415DNT-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 35A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 88W（Tc） TO-252AA
  
  型号：FDD8796
  仓库库存编号：FDD8796CT-ND
  别名：FDD8796CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 35A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 50W（Tc） TO-252AA
  
  型号：FDD8782
  仓库库存编号：FDD8782CT-ND
  别名：FDD8782CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 5W（Ta），37.9W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7686DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7686DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7686DP-T1-E3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 35A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 115W（Tc） TO-252AA
  
  型号：FDD8770
  仓库库存编号：FDD8770CT-ND
  别名：FDD8770CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 35A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 75W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS5361L_F085
  仓库库存编号：FDMS5361L_F085CT-ND
  别名：FDMS5361L_F085CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 35A（Tc） 3.8W（Ta），52.1W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7129DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7129DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7129DN-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 35A 1212-8 PPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS454DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS454DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS454DN-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8 PPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 35A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7629DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7629DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7629DN-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 100V 35A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 91W（Tc） DPAK
  
  型号：AUIRFR540Z
  仓库库存编号：AUIRFR540Z-ND
  别名：SP001521742
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 200V 35A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN070-200B,118
  仓库库存编号：1727-4775-1-ND
  别名：1727-4775-1
  568-5953-1
  568-5953-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 4.2W（Ta），36W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR402DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR402DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR402DP-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc）
  
  型号：SI7102DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7102DN-T1-E3CT-ND
  别名：SI7102DN-T1-E3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 35A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 8.3W（Ta），83W（Tc） TO-252
  
  型号：SUD35N10-26P-E3
  仓库库存编号：SUD35N10-26P-E3CT-ND
  别名：SUD35N10-26P-E3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 200V 35A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN070-200P,127
  仓库库存编号：1727-4662-ND
  别名：1727-4662
  568-5779
  568-5779-5
  568-5779-5-ND
  568-5779-ND
  934055718127
  PSMN070-200P
  PSMN070-200P,127-ND
  PSMN070-200P-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 650V 35A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 357W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FCP110N65F
  仓库库存编号：FCP110N65F-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 35A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 312.5W（Tc） TO-247-3
  
  型号：FCH35N60
  仓库库存编号：FCH35N60-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 650V 35A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 357W（Tc） TO-247 长引线
  
  型号：FCH110N65F_F155
  仓库库存编号：FCH110N65F_F155-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 357W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FCB110N65F
  仓库库存编号：FCB110N65FCT-ND
  别名：FCB110N65FCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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