规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.4A(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 400V 5.4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 5.4A(Tc) 70W(Tc) TO-220AB
型号:
STP7NK40Z
仓库库存编号:
497-3200-5-ND
别名:497-3200-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.4A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 5.4A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.4A(Tc) 3.13W(Ta),158W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB5N90TM
仓库库存编号:
FQB5N90TMCT-ND
别名:FQB5N90TMCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.4A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.4A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 5.4A(Tc) 40W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI740GPBF
仓库库存编号:
IRFI740GPBF-ND
别名:*IRFI740GPBF
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.4A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 5.4A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 5.4A(Tc) 150W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPE40PBF
仓库库存编号:
IRFPE40PBF-ND
别名:*IRFPE40PBF
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.4A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 5.4A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 5.4A(Tc) 110W(Tc) I-Pak
型号:
STU6N65K3
仓库库存编号:
497-13593-5-ND
别名:497-13593-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.4A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 5.4A I2PAKFP
详细描述:通孔 N 沟道 5.4A(Tc) 30W(Tc) I2PAKFP(TO-281)
型号:
STFI6N65K3
仓库库存编号:
497-13599-5-ND
别名:497-13599-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.4A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 700V 5.4A TO251
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.4A(Tc) 53W(Tc) PG-TO251
型号:
IPS70R1K4CEAKMA1
仓库库存编号:
IPS70R1K4CEAKMA1-ND
别名:SP001467042
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.4A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 400V 5.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.4A(Tc) 70W(Tc) D-Pak
型号:
STD7NK40ZT4
仓库库存编号:
497-6565-1-ND
别名:497-6565-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.4A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 700V 5.4A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.4A(Tc) 5W(Tc) PG-SOT223
型号:
IPN70R1K5CEATMA1
仓库库存编号:
IPN70R1K5CEATMA1CT-ND
别名:IPN70R1K5CEATMA1CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.4A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 5.4A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.4A(Tc) 53W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD70R1K4CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD70R1K4CEAUMA1CT-ND
别名:IPD70R1K4CEAUMA1CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.4A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 5.4A
详细描述:通孔 N 沟道 5.4A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
STF6N65K3
仓库库存编号:
497-12424-ND
别名:497-12424
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.4A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.4A(Tc) 2.5W(Ta),28W(Tc) D-Pak
型号:
FQD7P06TM
仓库库存编号:
FQD7P06TMCT-ND
别名:FQD7P06TMCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.4A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 400V 5.4A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 5.4A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STP7NK40ZFP
仓库库存编号:
STP7NK40ZFP-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.4A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET COOLMOS 700V TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 700V 5.4A(Tc) 53W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPSA70R1K4CEAKMA1
仓库库存编号:
IPSA70R1K4CEAKMA1-ND
别名:SP001605398
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.4A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 5.4A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 500V 5.4A(Tc) 28W(Tc) TO-220 整包
型号:
IPA50R500CEXKSA2
仓库库存编号:
IPA50R500CEXKSA2-ND
别名:SP001217230
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.4A(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 5.4A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 5.4A(Tc) 280mW(Tj) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV45EN,215
仓库库存编号:
568-2356-1-ND
别名:568-2356-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.4A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.4A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 400V 5.4A(Tc) 40W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI740G
仓库库存编号:
IRFI740G-ND
别名:*IRFI740G
Q850024
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.4A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 5.4A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 800V 5.4A(Tc) 150W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPE40
仓库库存编号:
IRFPE40-ND
别名:*IRFPE40
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.4A(Tc),
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 5.4A IPAK
详细描述:通孔 P 沟道 60V 5.4A(Tc) 2.5W(Ta),28W(Tc) I-Pak
型号:
FQU7P06TU
仓库库存编号:
FQU7P06TU-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.4A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 5.4A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 150V 5.4A(Tc) 3.75W(Ta),54W(Tc) I2PAK
型号:
FQI5N15TU
仓库库存编号:
FQI5N15TU-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.4A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 5.4A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 5.4A(Tc) 3.75W(Ta),54W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB5N15TM
仓库库存编号:
FQB5N15TM-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.4A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 5.4A(Tc) 2.5W(Ta),28W(Tc) D-Pak
型号:
FQD7P06TF
仓库库存编号:
FQD7P06TF-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.4A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V 5.4A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 300V 5.4A(Tc) 3.13W(Ta),70W(Tc) I2PAK
型号:
FQI5N30TU
仓库库存编号:
FQI5N30TU-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.4A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V 5.4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 300V 5.4A(Tc) 70W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP5N30
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FQP5N30-ND
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MOSFET N-CH 300V 5.4A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 300V 5.4A(Tc) 3.13W(Ta),70W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB5N30TM
仓库库存编号:
FQB5N30TM-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.4A(Tc),
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