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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Tc） 52W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M010A060FH
  仓库库存编号：GP1M010A060FH-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Tc）,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 10A（Tc） 312W（Tc） TO-3PN
  
  型号：GP1M010A080N
  仓库库存编号：GP1M010A080N-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Tc）,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 10A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 10A（Tc） 51.4W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M011A050FSH
  仓库库存编号：GP1M011A050FSH-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Tc）,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 10A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 10A（Tc） 158W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M011A050HS
  仓库库存编号：GP1M011A050HS-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Tc）,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 10A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Tc） 198W（Tc） TO-220
  
  型号：GP2M010A060H
  仓库库存编号：GP2M010A060H-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Tc）,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 10A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Tc） 198W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M010A060H
  仓库库存编号：1560-1175-5-ND
  别名：1560-1175-1
  1560-1175-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Tc） 250W（Tc） TO-220-3
  
  型号：AOT10N60_001
  仓库库存编号：AOT10N60_001-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 500V 10A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 10A（Tc） 50W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF10N50FD_001
  仓库库存编号：AOTF10N50FD_001-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Tc） 50W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF10N60_003
  仓库库存编号：AOTF10N60_003-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Tc） 50W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF10N60_006
  仓库库存编号：AOTF10N60_006-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Tc） 50W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF10N60L_002
  仓库库存编号：AOTF10N60L_002-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Tc） 43W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF10T60L
  仓库库存编号：AOTF10T60L-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 10A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Tc） 208W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT10T60P
  仓库库存编号：AOT10T60P-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 10A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Tc） 208W（Tc） TO-262
  
  型号：AOW10T60
  仓库库存编号：AOW10T60-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 10A TO262F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Tc） 28W（Tc） TO-262F
  
  型号：AOWF10T60
  仓库库存编号：AOWF10T60-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Tc） 50W（Tc） ITO-220
  
  型号：TSM10NB60CI C0G
  仓库库存编号：TSM10NB60CI C0G-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10A（Tc） 3.8W（Ta），48W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL520NS
  仓库库存编号：IRL520NS-ND
  别名：*IRL520NS
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10A（Tc） 3.8W（Ta），48W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL520NSTRL
  仓库库存编号：IRL520NSTRL-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 10A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 10A（Tc） 3.8W（Ta），48W（Tc） TO-262
  
  型号：IRL520NL
  仓库库存编号：IRL520NL-ND
  别名：*IRL520NL
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10A（Tc） 3.8W（Ta），48W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL520NSTRR
  仓库库存编号：IRL520NSTRR-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 10A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 10A（Tc） 28W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR014NTRL
  仓库库存编号：IRLR014NTRL-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 10A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 10A（Tc） 28W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR014NTR
  仓库库存编号：IRLR014NTR-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 10A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 10A（Tc） 28W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR014NTRR
  仓库库存编号：IRLR014NTRR-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10A（Tc） 48W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR120NTRR
  仓库库存编号：IRLR120NTRR-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 10A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 10A（Tc） 28W（Tc） I-Pak
  
  型号：IRLU014N
  仓库库存编号：IRLU014N-ND
  别名：*IRLU014N
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Tc）,
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