规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Tc）,
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 380W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH10N100P
仓库库存编号：
IXFH10N100P-ND
别名：Q4374359
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 600V 10A TO-268
详细描述：表面贴装 P 沟道 600V 10A（Tc） 300W（Tc） TO-268
型号：
IXTT10P60
仓库库存编号：
IXTT10P60-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 500V 10A TO-247AD
详细描述：通孔 P 沟道 500V 10A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH10P50
仓库库存编号：
IXTH10P50-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 10A（Tc） 695W（Tc） TO-247
型号：
IXTH10N100D2
仓库库存编号：
IXTH10N100D2-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 10A（Tc） 400W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH10N100D
仓库库存编号：
IXTH10N100D-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 10A TO-267
详细描述：表面贴装 N 沟道 1000V 10A（Tc） 695W（Tc） TO-268
型号：
IXTT10N100D2
仓库库存编号：
IXTT10N100D2-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 1000V 10A（Tc） 300W（Tc） TO-268
型号：
IXFT10N100
仓库库存编号：
IXFT10N100-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 1000V 10A（Tc） 400W（Tc） TO-268
型号：
IXTT10N100D
仓库库存编号：
IXTT10N100D-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 10A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH10N100Q
仓库库存编号：
IXFH10N100Q-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 500V 10A TO-268
详细描述：表面贴装 P 沟道 500V 10A（Tc） 300W（Tc） TO-268
型号：
IXTT10P50
仓库库存编号：
IXTT10P50-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 10A（Tc） 250W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR12N100Q
仓库库存编号：
IXFR12N100Q-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 10A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 10A（Tc） 28W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
AUIRLR014NTRL
仓库库存编号：
AUIRLR014NTRL-ND
别名：SP001516046
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10A（Tc） 48W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
AUIRLR120NTRL
仓库库存编号：
AUIRLR120NTRL-ND
别名：SP001516016
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10A（Tc） 3.8W（Ta），48W（Tc） D2PAK
型号：
IRL520NSTRLPBF
仓库库存编号：
IRL520NSTRLPBF-ND
别名：SP001567056
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 10A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 550V 10A（Tc） 89W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP50R350CPXKSA1
仓库库存编号：
IPP50R350CPXKSA1-ND
别名：IPP50R350CP
IPP50R350CPIN
IPP50R350CPIN-ND
IPP50R350CPXK
SP000680940
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 10A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 500V 10A（Tc） 89W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP50R350CPHKSA1
仓库库存编号：
IPP50R350CPHKSA1-ND
别名：SP000236069
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 10A TO247-3
详细描述：通孔 N 沟道 550V 10A（Tc） 89W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW50R350CPFKSA1
仓库库存编号：
IPW50R350CPFKSA1-ND
别名：IPW50R350CP
IPW50R350CP-ND
SP000301164
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 650V 10A（Tc） 32W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
IPA65R125C7XKSA1
仓库库存编号：
IPA65R125C7XKSA1-ND
别名：SP001080136
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 10A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 100V 10A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF520
仓库库存编号：
497-2782-5-ND
别名：497-2782-5
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Tc）,
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 60V 10A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 10A（Tc） 40W（Tc） D-Pak
型号：
STD10PF06T4
仓库库存编号：
497-2456-1-ND
别名：497-2456-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 400V 10A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 400V 10A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF740
仓库库存编号：
497-2931-5-ND
别名：497-2931-5
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 10A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SO
型号：
STS10PF30L
仓库库存编号：
497-4120-1-ND
别名：497-4120-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 10A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
STP12NK60Z
仓库库存编号：
497-4817-5-ND
别名：497-4817-5
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 10A（Tc） 90W（Tc） D-Pak
型号：
STD11NM60N
仓库库存编号：
497-5733-1-ND
别名：497-5733-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
型号：
STF11NM60N
仓库库存编号：
497-5886-5-ND
别名：497-5886-5
STF11NM60N-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Tc）,
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