规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 110A(Tc) 333W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB075N15A_F085
仓库库存编号:
FDB075N15A_F085CT-ND
别名:FDB075N15A_F085CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 110A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 110A(Tc) 333W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB86360_F085
仓库库存编号:
FDB86360_F085CT-ND
别名:FDB86360_F085CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 80V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 110A(Tc) 13.6W(Ta),375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM110P08-11L-E3
仓库库存编号:
SUM110P08-11L-E3CT-ND
别名:SUM110P08-11L-E3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 110A(Tc) 15W(Ta),375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM110P04-05-E3
仓库库存编号:
SUM110P04-05-E3CT-ND
别名:SUM110P04-05-E3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 110A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 110A(Tc) 600W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH110N10L2
仓库库存编号:
IXTH110N10L2-ND
别名:624231
Q5291125
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 110A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 110A(Tc) 700W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN140N30P
仓库库存编号:
IXFN140N30P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 110A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 110A(Tc) 960W(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK110N20L2
仓库库存编号:
IXTK110N20L2-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 110A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 110A(Tc) 180W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP110N055T2
仓库库存编号:
IXTP110N055T2-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 110A(Tc) 120W(Tc) TO-220
型号:
STP80N6F6
仓库库存编号:
497-13976-5-ND
别名:497-13976-5
STP80N6F6-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 55V 110A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 110A(Tc) 150W(Tc) TO-220
型号:
STP110N55F6
仓库库存编号:
497-13552-5-ND
别名:497-13552-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc),
无铅
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IXYS
120V/110A TRENCHT2 POWER MOSFET
详细描述:通孔 N 沟道 110A(Tc) 517W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP110N12T2
仓库库存编号:
IXTP110N12T2-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc),
无铅
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IXYS
120V/110A TRENCHT2 POWER MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 110A(Tc) 517W(Tc) TO-263AA
型号:
IXTA110N12T2
仓库库存编号:
IXTA110N12T2-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 110A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 110A(Tc) 176W(Tj) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB86366_F085
仓库库存编号:
FDB86366_F085CT-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 110A(Tc) 176W(Tj) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB86566_F085
仓库库存编号:
FDB86566_F085CT-ND
别名:FDB86566_F085CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 110A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 110A(Tc) 600W(Tc) TO-268
型号:
IXTT110N10L2
仓库库存编号:
IXTT110N10L2-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 110A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 110A(Tc) 960W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXTX110N20L2
仓库库存编号:
IXTX110N20L2-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc),
不受无铅要求限制
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 60V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 110A(Tc) 160W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
IRFS7540TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS7540TRLPBFCT-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 110A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 110A(Tc) 312W(Tc) TO-220AB
型号:
STP120NF10
仓库库存编号:
497-4118-5-ND
别名:497-4118-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 100V 110A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 110A(Tc) 150W(Tc) TO-220
型号:
STP110N10F7
仓库库存编号:
497-13551-5-ND
别名:497-13551-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 110A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 110A(Tc) 250W(Tc) TO-220
型号:
STP150N10F7
仓库库存编号:
497-14570-5-ND
别名:497-14570-5
STP150N10F7-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 70V 110A TO-264AA
详细描述:通孔 N 沟道 110A(Tc) 500W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK110N07
仓库库存编号:
IXFK110N07-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 110A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 110A(Tc) 180W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA110N055T2
仓库库存编号:
IXTA110N055T2-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 110A PLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 110A(Tc) 1890W(Tc) PLUS264?
型号:
IXFB110N60P3
仓库库存编号:
IXFB110N60P3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 68V 110A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 110A(Tc) 176W(Tc) TO-220
型号:
STP110N7F6
仓库库存编号:
STP110N7F6-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc),
无铅
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ON Semiconductor
TRENCH 6 40V FET
详细描述:表面贴装 N 沟道 110A(Tc) 66W(Tc) DPAK
型号:
NTD5C446NT4G
仓库库存编号:
NTD5C446NT4GOSCT-ND
别名:NTD5C446NT4GOSCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc),
无铅
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