规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 110A ISOTOP
详细描述:底座安装 N 沟道 200V 110A(Tc) 500W(Tc) ISOTOP?
型号:
STE110NS20FD
仓库库存编号:
497-2657-5-ND
别名:497-2657-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 100V 110A PLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 110A(Tc) 480W(Tc) PLUS220
型号:
IXFV110N10P
仓库库存编号:
IXFV110N10P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 100V 110A PLUS220-S
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 110A(Tc) 480W(Tc) PLUS-220SMD
型号:
IXFV110N10PS
仓库库存编号:
IXFV110N10PS-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 110A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 110A(Tc) 230W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA110N055T
仓库库存编号:
IXTA110N055T-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 85V 110A ISOPLUS 220
详细描述:通孔 N 沟道 85V 110A(Tc) ISOPLUS220?
型号:
IXTC160N085T
仓库库存编号:
IXTC160N085T-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 85V 110A ISOPLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 85V 110A(Tc) 150W(Tc) ISOPLUS220?
型号:
IXTC180N085T
仓库库存编号:
IXTC180N085T-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 110A(Tc) 3.75W(Ta),375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM110N04-2M3L-E3
仓库库存编号:
SUM110N04-2M3L-E3CT-ND
别名:SUM110N04-2M3L-E3-ND
SUM110N04-2M3L-E3CT
SUM110N042M3LE3
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 110A(Tc) 3.75W(Ta),375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM110N06-3M4L-E3
仓库库存编号:
SUM110N06-3M4L-E3CT-ND
别名:SUM110N06-3M4L-E3-ND
SUM110N06-3M4L-E3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 110A(Tc) 3.75W(Ta),150W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM110N04-05H-E3
仓库库存编号:
SUM110N04-05H-E3CT-ND
别名:SUM110N04-05H-E3CT
SUM110N0405HE3
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 110A PLUS220SMD
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 110A(Tc) 694W(Tc) PLUS-220SMD
型号:
IXTV110N25TS
仓库库存编号:
IXTV110N25TS-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 75V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 110A(Tc) 3.75W(Ta),208.3W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM110N08-07P-E3
仓库库存编号:
SUM110N08-07P-E3CT-ND
别名:SUM110N08-07P-E3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 110A(Tc) 3.75W(Ta),375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM110N03-03P-E3
仓库库存编号:
SUM110N03-03P-E3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 110A(Tc) 3.75W(Ta),375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM110N04-03-E3
仓库库存编号:
SUM110N04-03-E3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 80V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 80V 110A(Tc) 13.6W(Ta),375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM110P08-11-E3
仓库库存编号:
SUM110P08-11-E3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V MP-25ZP/TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 110A(Tc) 1.8W(Ta),288W(Tc) TO-263
型号:
NP110N03PUG-E1-AY
仓库库存编号:
NP110N03PUG-E1-AY-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 110A(Tc) 1.8W(Ta),288W(Tc) TO-263
型号:
NP110N04PUG-E1-AY
仓库库存编号:
NP110N04PUG-E1-AY-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 110A(Tc) 1.5W(Ta),213W(Tc) TO-263
型号:
2SK3811-ZP-E1-AY
仓库库存编号:
2SK3811-ZP-E1-AYCT-ND
别名:2SK3811-ZP-E1-AYCT
2SK3811ZPE1AY
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 110A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 30V 110A(Tc) 100W(Tc) TO-220
型号:
AOT424
仓库库存编号:
AOT424-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 110A(Tc) 3.75W(Ta),120W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM110N03-04P-E3
仓库库存编号:
SUM110N03-04P-E3CT-ND
别名:SUM110N03-04P-E3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 110A(Tc) 3.7W(Ta),158W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM110N05-06L-E3
仓库库存编号:
SUM110N05-06L-E3CT-ND
别名:SUM110N05-06L-E3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 110A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 110A(Tc) 1.8W(Ta),220W(Tc) TO-263-3
型号:
NP109N04PUG-E1-AY
仓库库存编号:
NP109N04PUG-E1-AY-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 110A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 110A(Tc) 1.8W(Ta),250W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
NP109N04PUK-E1-AY
仓库库存编号:
NP109N04PUK-E1-AY-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 110A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 110A(Tc) 1.8W(Ta),250W(Tc) TO-263
型号:
NP109N055PUK-E1-AY
仓库库存编号:
NP109N055PUK-E1-AY-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 110A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 110A(Tc) 1.8W(Ta),348W(Tc) TO-263-3
型号:
NP110N04PUK-E1-AY
仓库库存编号:
NP110N04PUK-E1-AY-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 110A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 110A(Tc) 1.8W(Ta),288W(Tc) TO-263
型号:
NP110N055PUG-E1-AY
仓库库存编号:
NP110N055PUG-E1-AY-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc),
无铅
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