规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc),
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 110A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 110A(Tc) 1.8W(Ta),348W(Tc) TO-263
型号:
NP110N055PUK-E1-AY
仓库库存编号:
NP110N055PUK-E1-AY-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 110A(Tc) 140W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3502S
仓库库存编号:
IRL3502S-ND
别名:*IRL3502S
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 110A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 110A(Tc) 140W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3502
仓库库存编号:
IRL3502-ND
别名:*IRL3502
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 110A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 110A(Tc) 200W(Tc) TO-262
型号:
IRF3205L
仓库库存编号:
IRF3205L-ND
别名:*IRF3205L
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 110A(Tc) 200W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3205STRR
仓库库存编号:
IRF3205STRR-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 110A(Tc) 140W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3502STRR
仓库库存编号:
IRL3502STRR-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 110A(Tc) 3.1W(Ta),120W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3711S
仓库库存编号:
IRF3711S-ND
别名:*IRF3711S
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 110A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 110A(Tc) 3.1W(Ta),120W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF3711
仓库库存编号:
IRF3711-ND
别名:*IRF3711
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 110A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 20V 110A(Tc) 3.1W(Ta),120W(Tc) TO-262
型号:
IRF3711L
仓库库存编号:
IRF3711L-ND
别名:*IRF3711L
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 110A(Tc) 3.1W(Ta),120W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3711STRL
仓库库存编号:
IRF3711STRL-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 110A(Tc) 3.1W(Ta),120W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3711STRR
仓库库存编号:
IRF3711STRR-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 110A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 110A(Tc) 140W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU8203PBF
仓库库存编号:
IRLU8203PBF-ND
别名:*IRLU8203PBF
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 110A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 110A(Tc) 3.1W(Ta),120W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF3711PBF
仓库库存编号:
IRF3711PBF-ND
别名:*IRF3711PBF
SP001561720
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 110A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 20V 110A(Tc) 3.1W(Ta),120W(Tc) TO-262
型号:
IRF3711LPBF
仓库库存编号:
IRF3711LPBF-ND
别名:*IRF3711LPBF
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 110A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 110A(Tc) 140W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3502PBF
仓库库存编号:
IRL3502PBF-ND
别名:*IRL3502PBF
SP001568246
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 110A(Tc) 140W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3502SPBF
仓库库存编号:
IRL3502SPBF-ND
别名:*IRL3502SPBF
SP001578558
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 110A(Tc) 140W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3502STRRPBF
仓库库存编号:
IRL3502STRRPBF-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 110A(Tc) 3.1W(Ta),120W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3711STRLPBF
仓库库存编号:
IRF3711STRLPBFCT-ND
别名:IRF3711STRLPBFCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 110A(Tc) 140W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3502STRLPBF
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规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc),
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