规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 324W(Tc) D2PAK
型号:
BUK764R2-80E,118
仓库库存编号:
1727-1091-1-ND
别名:1727-1091-1
568-10244-1
568-10244-1-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 338W(Tc) TO-220AB
型号:
PSMN2R0-60PSRQ
仓库库存编号:
PSMN2R0-60PSRQ-ND
别名:934068472127
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 293W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK752R3-40E,127
仓库库存编号:
1727-7235-ND
别名:1727-7235
568-9839-5
568-9839-5-ND
934066423127
BUK752R340E127
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 357W(Tc) D2PAK
型号:
BUK762R4-60E,118
仓库库存编号:
1727-7134-1-ND
别名:1727-7134-1
568-9566-1
568-9566-1-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 338W(Tc) I2PAK
型号:
PSMN3R5-80ES,127
仓库库存编号:
1727-5283-ND
别名:1727-5283
568-6711
568-6711-5
568-6711-5-ND
568-6711-ND
934065163127
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM120N02-1M3L_GE3
仓库库存编号:
SQM120N02-1M3L_GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 40V 120A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP120N04T2
仓库库存编号:
IXTP120N04T2-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 120A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM120N04-1M9_GE3
仓库库存编号:
SQM120N04-1M9_GE3-ND
别名:SQM120N04-1M9-GE3
SQM120N04-1M9-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 338W(Tc) I2PAK
型号:
PSMN3R3-80ES,127
仓库库存编号:
1727-6502-ND
别名:1727-6502
568-8598-5
568-8598-5-ND
934066133127
PSMN3R380ES127
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 230W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM120N06-06_GE3
仓库库存编号:
SQM120N06-06_GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-220AB
型号:
SQP120N10-09_GE3
仓库库存编号:
SQP120N10-09_GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 250W(Tc) TO-262-3
型号:
SQV120N06-4M7L_GE3
仓库库存编号:
SQV120N06-4M7L_GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 250W(Tc) TO-262-3
型号:
SQV120N10-3M8_GE3
仓库库存编号:
SQV120N10-3M8_GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 120A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM120N04-1M7_GE3
仓库库存编号:
SQM120N04-1M7_GE3-ND
别名:SQM120N04-1M7-GE3
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM120N10-09_GE3
仓库库存编号:
SQM120N10-09_GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM50020EL_GE3
仓库库存编号:
SQM50020EL_GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
搜索
Vishay Siliconix
P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:通孔 P 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
SQP90P06-07L_GE3
仓库库存编号:
SQP90P06-07L_GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
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IXYS
MOSFET N-CH 40V 120A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 200W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA120N04T2
仓库库存编号:
IXTA120N04T2-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 120A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-220AB
型号:
FDP047N10
仓库库存编号:
FDP047N10-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 120A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-263
型号:
SQM120N03-1M5L_GE3
仓库库存编号:
SQM120N03-1M5L_GE3-ND
别名:SQM120N03-1M5L-GE3
SQM120N03-1M5L-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述:表面贴装 P 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM120P10_10M1LGE3
仓库库存编号:
SQM120P10_10M1LGE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 250W(Tc) TO-220AB
型号:
SQP120N10-3M8_GE3
仓库库存编号:
SQP120N10-3M8_GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 250W(Tc) TO-220AB
型号:
SQP120N06-3M5L_GE3
仓库库存编号:
SQP120N06-3M5L_GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK7
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 246W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
FDB024N08BL7
仓库库存编号:
FDB024N08BL7CT-ND
别名:FDB024N08BL7CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
PT3 MV 75V 3.2MOHM FOR DELTA
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-220
型号:
FDP032N08_F102
仓库库存编号:
FDP032N08_F102-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
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