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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 31A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 31A（Tc） 60W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK6228-55C,118
  仓库库存编号：1727-5511-1-ND
  别名：1727-5511-1
  568-6989-1
  568-6989-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 31A（Tc）,
• 含铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 31A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 31A（Tc） 96W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK9637-100E,118
  仓库库存编号：1727-1097-1-ND
  别名：1727-1097-1
  568-10252-1
  568-10252-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 31A（Tc）,
• 无铅
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• Sanken
  MOSFET N-CH 75V 31A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 31A（Tc） 38W（Tc） TO-220F
  
  型号：FKI07174
  仓库库存编号：FKI07174-ND
  别名：FKI07174 DK
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 31A（Tc）,
• 无铅
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• Sanken
  MOSFET N-CH 100V 31A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 31A（Tc） 40W（Tc） TO-220F
  
  型号：FKI10198
  仓库库存编号：FKI10198-ND
  别名：FKI10198 DK
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 31A（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 31A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 31A（Tc） 29W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA60R099P7XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R099P7XKSA1-ND
  别名：SP001658390
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 31A（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 31A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 31A（Tc） 117W（Tc） PG-TO220-3
  
  型号：IPP60R099P7XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R099P7XKSA1-ND
  别名：SP001647032
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 31A（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 31A（Tc） 117W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R099P7XKSA1
  仓库库存编号：IPW60R099P7XKSA1-ND
  别名：SP001647038
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 31A（Tc）,
• 无铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 600V 31A（Tc） 355W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT30M60J
  仓库库存编号：APT30M60J-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 31A（Tc）,
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  无铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 31A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 800V 31A（Tc） 543W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT29F80J
  仓库库存编号：APT29F80J-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 31A（Tc）,
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  无铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 31A（Tc） 657W（Tc） SP1
  
  型号：APTM120DA30T1G
  仓库库存编号：APTM120DA30T1G-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 31A（Tc）,
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  无铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 31A（Tc） 657W（Tc） SP1
  
  型号：APTM120DA30CT1G
  仓库库存编号：APTM120DA30CT1G-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 31A（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 31A（Tc） 255W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB60R099CPAATMA1
  仓库库存编号：IPB60R099CPAATMA1TR-ND
  别名：IPB60R099CPA
  IPB60R099CPA-ND
  SP000315443
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 31A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 31A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 31A（Tc） 255W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI60R099CPXKSA1
  仓库库存编号：IPI60R099CPXKSA1-ND
  别名：IPI60R099CP
  IPI60R099CP-ND
  IPI60R099CPAKSA1
  SP000297356
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 31A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 31A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 31A（Tc） 255W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI60R099CPAAKSA1
  仓库库存编号：IPI60R099CPAAKSA1-ND
  别名：IPI60R099CPA
  IPI60R099CPA-ND
  SP000315454
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 31A（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 31A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 31A（Tc） 255W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R099CPAAKSA1
  仓库库存编号：IPP60R099CPAAKSA1-ND
  别名：IPP60R099CPA
  IPP60R099CPA-ND
  SP000315418
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 31A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 31A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 31A（Tc） 255W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R099CPAFKSA1
  仓库库存编号：IPW60R099CPAFKSA1-ND
  别名：SP000597860
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 31A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 31A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 31A（Tc） 350W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW29NK50Z
  仓库库存编号：497-4425-5-ND
  别名：497-4425-5
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 31A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 31A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 31A（Tc） 3.1W（Ta），200W（Tc） I2PAK
  
  型号：IRFSL31N20DTRL
  仓库库存编号：IRFSL31N20DTRL-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 31A（Tc）,
• 含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 31A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 31A（Tc） 3.1W（Ta），200W（Tc） I2PAK
  
  型号：IRFSL31N20DTRR
  仓库库存编号：IRFSL31N20DTRR-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 31A（Tc）,
• 含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 31A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 31A（Tc） 460W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP31N50L
  仓库库存编号：IRFP31N50L-ND
  别名：*IRFP31N50L
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 31A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 31A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 31A（Tc） 47W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF50N06
  仓库库存编号：FQPF50N06-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 31A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 31A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 31A（Tc） 180W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP34N20L
  仓库库存编号：FQP34N20L-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 31A（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 31A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 31A（Tc） 255W（Tc） TO-247-3
  
  型号：APT31N60BCSG
  仓库库存编号：APT31N60BCSG-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 31A（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 31A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 800V 31A（Tc） 833W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT31N80JC3
  仓库库存编号：APT31N80JC3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 31A（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 550V 31A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 550V 31A（Tc） 403W（Tc） TO-247-3
  
  型号：APT5518BFLLG
  仓库库存编号：APT5518BFLLG-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 31A（Tc）,
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