规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Tc),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 500V 20A(Tc) 235W(Tc) TO-3PN
型号:
IRFP460C
仓库库存编号:
IRFP460C-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 20A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 20A(Tc) 277W(Tc) TO-247
型号:
FQH18N50V2
仓库库存编号:
FQH18N50V2-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 20A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 20A(Tc) 62W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK9575-55A,127
仓库库存编号:
568-12103-5-ND
别名:568-12103-ND
934056258127
BUK9575-55A
BUK9575-55A,127-ND
BUK9575-55A-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Tc),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 20A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 150V 20A(Tc) 112W(Tc) TO-220AB
型号:
MTP20N15E
仓库库存编号:
MTP20N15E-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Tc),
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 20A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 20A(Tc) 290W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT20F50B
仓库库存编号:
APT20F50B-ND
别名:APT20F50BMI
APT20F50BMI-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 20A PLUS220SMD
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 20A(Tc) 500W(Tc) PLUS-220SMD
型号:
IXFV20N80PS
仓库库存编号:
IXFV20N80PS-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 20A(Tc) 3.1W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4456
仓库库存编号:
785-1035-1-ND
别名:785-1035-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 20A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 20A(Tc) 357W(Tc) SP1
型号:
APTM100DA40T1G
仓库库存编号:
APTM100DA40T1G-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 20A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 20A(Tc) 357W(Tc) SP1
型号:
APTM100SK40T1G
仓库库存编号:
APTM100SK40T1G-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 20A(Tc) 39W(Tc) TO-220F-3(Y 型)
型号:
FCPF20N60TYDTU
仓库库存编号:
FCPF20N60TYDTU-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 20A(Tc) 5W(Ta),27.7W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7160DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7160DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7160DP-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Tc),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 20A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 150V 20A(Tc) 112W(Tc) TO-220AB
型号:
MTP20N15EG
仓库库存编号:
MTP20N15EG-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 20A(Tc) 208W(Tc) TO-220-3
型号:
FCP20N60_F080
仓库库存编号:
FCP20N60_F080-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 20A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 100V 20A(Tc) 33.8W(Tc) TO-220F-3(Y 型)
型号:
FDPF3860TYDTU
仓库库存编号:
FDPF3860TYDTU-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Tc),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 20A(Tc) 36W(Tc) I-Pak
型号:
NTD5867NL-1G
仓库库存编号:
NTD5867NL-1GOS-ND
别名:NTD5867NL-1G-ND
NTD5867NL-1GOS
NTD5867NL1G
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 20A(Tc) 3.5W(Ta),7.8W(Tc) 8-SO
型号:
SI4190DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4190DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4190DY-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 20A(Tc) 5W(Ta),27.7W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7160DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7160DP-T1-E3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 20A(Tc) 5W(Ta),27.5W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7682DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7682DP-T1-E3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 20A(Tc) 5W(Ta),27.5W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7682DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7682DP-T1-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 20A(Tc) 3.9W(Ta),29.8W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR874DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR874DP-T1-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 40V 20A TO-252
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 20A(Tc) 1.2W(Ta),38W(Tc) TO-252(MP-3ZK)
型号:
NP20P04SLG-E1-AY
仓库库存编号:
NP20P04SLG-E1-AY-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 60V 20A TO-252
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 20A(Tc) 1.2W(Ta),38W(Tc) TO-252(MP-3ZK)
型号:
NP20P06SLG-E1-AY
仓库库存编号:
NP20P06SLG-E1-AY-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 20V 20A TO-252
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 20A(Tc) 1W(Ta),36W(Tc) TO-252(MP-3ZK)
型号:
2SJ687-ZK-E1-AY
仓库库存编号:
2SJ687-ZK-E1-AYCT-ND
别名:2SJ687-ZK-E1-AYCT
2SJ687ZKE1AY
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN
详细描述:通孔 N 沟道 600V 20A(Tc) 208W(Tc) TO-3PN
型号:
FCA20N60FS
仓库库存编号:
FCA20N60FS-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 20A(Tc) 208W(Tc) TO-220-3
型号:
FCP20N60FS
仓库库存编号:
FCP20N60FS-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Tc),
无铅
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