规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 40W(Tc) TO-220FM
型号:
R6004ENX
仓库库存编号:
R6004ENX-ND
别名:R6004ENXCT
R6004ENXCT-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 4A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF5N95K3
仓库库存编号:
497-10405-5-ND
别名:497-10405-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4A LPT
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 40W(Tc) LPTS(D2PAK)
型号:
R6004ENJTL
仓库库存编号:
R6004ENJTLCT-ND
别名:R6004ENJTLCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 63W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
SPP04N80C3
仓库库存编号:
SPP04N80C3IN-ND
别名:SP000013706
SP000683152
SPP04N80C3IN
SPP04N80C3X
SPP04N80C3XK
SPP04N80C3XKSA1
SPP04N80C3XTIN
SPP04N80C3XTIN-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 650 V, 1.2 OHM TYP., 4
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 620mW(Ta), 77W(Tc) TO-220FP
型号:
STFU6N65
仓库库存编号:
497-16968-ND
别名:497-16968
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 900 V, 0.25 OHM TYP.,
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 20W(Tc) TO-220FP
型号:
STF4N90K5
仓库库存编号:
497-17071-ND
别名:497-17071
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 80W(Tc) TO-220
型号:
IXTP4N65X2
仓库库存编号:
IXTP4N65X2-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 80W(Tc) TO-263
型号:
IXTA4N65X2
仓库库存编号:
IXTA4N65X2-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 32W(Tc) TO-220
型号:
IXTP8N65X2M
仓库库存编号:
IXTP8N65X2M-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 139W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT1003RBLLG
仓库库存编号:
APT1003RBLLG-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 70W(Tc) ITO-220
型号:
TSM4NB65CI C0G
仓库库存编号:
TSM4NB65CI C0G-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 50W(Tc) ITO-220
型号:
TSM4NB60CI C0G
仓库库存编号:
TSM4NB60CI C0G-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 4A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 60W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
STU6N65M2
仓库库存编号:
497-15044-5-ND
别名:497-15044-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 4A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 20W(Tc) TO-220FP
型号:
STF6N65M2
仓库库存编号:
497-15035-5-ND
别名:497-15035-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 4A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 70W(Tc) I2PAK
型号:
STB4NK60Z-1
仓库库存编号:
497-12536-5-ND
别名:497-12536-5
STB4NK60Z-1-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 4A I2PAKFP
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 25W(Tc) I2PAKFP(TO-281)
型号:
STFI5N95K3
仓库库存编号:
497-13867-5-ND
别名:497-13867-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CHANNEL 700V 4A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 32W(Tc) TO-220
型号:
IXTP8N70X2M
仓库库存编号:
IXTP8N70X2M-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 700V 4A TO251
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 42W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS70R2K0CEAKMA1
仓库库存编号:
IPS70R2K0CEAKMA1-ND
别名:SP001471300
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 4A(Tc) 1.7W(Ta),3.1W(Tc) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5913DC-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5913DC-T1-GE3CT-ND
别名:SI5913DC-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 4A CPT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 850mW(Ta),20W(Tc) CPT3
型号:
RCD041N25TL
仓库库存编号:
RCD041N25TLCT-ND
别名:RCD041N25TLCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 3.3W(Tc) SOT-223
型号:
STN4NF06L
仓库库存编号:
497-10315-1-ND
别名:497-10315-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 40W(Tc) D-Pak
型号:
FDD5N50TM_WS
仓库库存编号:
FDD5N50TM_WSCT-ND
别名:FDD5N50TM_WSCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 4A
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 47W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF4N90CT
仓库库存编号:
FQPF4N90CT-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4A IPAK-SL
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 32W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS80R1K4P7AKMA1
仓库库存编号:
IPS80R1K4P7AKMA1-ND
别名:SP001422736
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 32W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU80R1K4P7AKMA1
仓库库存编号:
IPU80R1K4P7AKMA1-ND
别名:SP001422742
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
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