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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V TO-220F-3
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 28W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF5N50UT
  仓库库存编号：FDPF5N50UT-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 4A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 32W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP80R1K4P7XKSA1
  仓库库存编号：IPP80R1K4P7XKSA1-ND
  别名：SP001422718
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 4A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 24W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：IPA80R1K4P7XKSA1
  仓库库存编号：IPA80R1K4P7XKSA1-ND
  别名：SP001422546
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 4A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 114W（Tc） TO-252
  
  型号：IXFY4N60P3
  仓库库存编号：IXFY4N60P3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 4A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 52W（Tc） DPAK
  
  型号：FCD1300N80Z
  仓库库存编号：FCD1300N80ZCT-ND
  别名：FCD1300N80ZCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 800 V, 1.50 OHM TYP.,
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 60W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB5N80K5
  仓库库存编号：497-16923-1-ND
  别名：497-16923-1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
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  无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 4A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 114W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP4N60P3
  仓库库存编号：IXFP4N60P3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 4A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 60W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB6N65M2
  仓库库存编号：497-15047-1-ND
  别名：497-15047-1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 4A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 24W（Tc） TO-220F-3（Y 型）
  
  型号：FCPF1300N80ZYD
  仓库库存编号：FCPF1300N80ZYD-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1.5KV 4A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 280W（Tc） TO-263
  
  型号：IXTA4N150HV
  仓库库存编号：IXTA4N150HV-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
• 不受无铅要求限制
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1.5KV 4A TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 280W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT4N150HV
  仓库库存编号：IXTT4N150HV-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
• 不受无铅要求限制
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• IXYS
  2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 960W（Tc） TO-247HV
  
  型号：IXTX4N300P3HV
  仓库库存编号：IXTX4N300P3HV-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
• 不受无铅要求限制
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 700V 4A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 6.2W（Tc） PG-SOT223
  
  型号：IPN70R1K4P7SATMA1
  仓库库存编号：IPN70R1K4P7SATMA1CT-ND
  别名：IPN70R1K4P7SATMA1CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 4A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 7W（Tc） PG-SOT223
  
  型号：IPN80R1K4P7ATMA1
  仓库库存编号：IPN80R1K4P7ATMA1CT-ND
  别名：IPN80R1K4P7ATMA1CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 4A 3TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD04N80C3ATMA1
  仓库库存编号：SPD04N80C3ATMA1CT-ND
  别名：SPD04N80C3ATMA1CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 4A CPT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 20W（Tc） CPT3
  
  型号：R6004ENDTL
  仓库库存编号：R6004ENDTLCT-ND
  别名：R6004ENDTLCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Tc） 1.3W（Ta），3.1W（Tc） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5853DDC-T1-E3
  仓库库存编号：SI5853DDC-T1-E3CT-ND
  别名：SI5853DDC-T1-E3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 8.35W（Ta） ITO-220AB
  
  型号：DMG4N65CTI
  仓库库存编号：DMG4N65CTIDI-ND
  别名：DMG4N65CTIDI
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N CH 650V 4A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 2.19W（Ta） TO-220-3
  
  型号：DMG4N65CT
  仓库库存编号：DMG4N65CTDI-ND
  别名：DMG4N65CTDI
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 4A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 38W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：SPA04N80C3
  仓库库存编号：SPA04N80C3IN-ND
  别名：SP000216300
  SPA04N80C3IN
  SPA04N80C3X
  SPA04N80C3XK
  SPA04N80C3XKSA1
  SPA04N80C3XTIN
  SPA04N80C3XTIN-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 80W（Tc） TO-252
  
  型号：IXTY4N65X2
  仓库库存编号：IXTY4N65X2-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 4A SOT-363
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 1.56W（Ta），2.8W（Tc）
  
  型号：SI1424EDH-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1424EDH-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1424EDH-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 4A SOT-363
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Tc） 2.8W（Tc） SOT-363
  
  型号：SI1441EDH-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1441EDH-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1441EDH-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 70W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM4NB65CP ROG
  仓库库存编号：TSM4NB65CP ROGTR-ND
  别名：TSM4NB65CP ROGTR
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 70W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM4NB65CP ROG
  仓库库存编号：TSM4NB65CP ROGCT-ND
  别名：TSM4NB65CP ROGCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
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