规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 100V 4A(Tc) I2PAK
型号:
IRF9510L
仓库库存编号:
IRF9510L-ND
别名:*IRF9510L
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 4A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9510STRL
仓库库存编号:
IRF9510STRL-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 4A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9510STRR
仓库库存编号:
IRF9510STRR-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 4A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 200V 4A(Tc) 30W(Tc) TO-220-3
型号:
IRLI620GPBF
仓库库存编号:
IRLI620GPBF-ND
别名:*IRLI620GPBF
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 4A TO-126
详细描述:通孔 N 沟道 200V 4A(Tc) 12.8W(Tc) TO-126
型号:
FQE10N20LCTU
仓库库存编号:
FQE10N20LCTU-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 4A TO-126
详细描述:通孔 N 沟道 200V 4A(Tc) 12.8W(Tc) TO-126
型号:
FQE10N20CTU
仓库库存编号:
FQE10N20CTU-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 4A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 250V 4A(Tc) 37W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF6N25
仓库库存编号:
FQPF6N25-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 250V 4A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 250V 4A(Tc) 75W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP4P25
仓库库存编号:
FQP4P25-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 4A(Tc) 30W(Tc) TO-252AA
型号:
RFD4N06LSM9A
仓库库存编号:
RFD4N06LSM9A-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 250V 4A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 250V 4A(Tc) 3.13W(Ta),75W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB4P25TM
仓库库存编号:
FQB4P25TM-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 4A(Tc) 2.5W(Ta),48W(Tc) D-Pak
型号:
FQD5N50CTF
仓库库存编号:
FQD5N50CTF-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 4A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 500V 4A(Tc) 2.5W(Ta),48W(Tc) I-Pak
型号:
FQU5N50CTU
仓库库存编号:
FQU5N50CTU-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 4A(Tc) 2.5W(Ta),48W(Tc) D-Pak
型号:
FQD5N50CTM
仓库库存编号:
FQD5N50CTM-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 4A(Tc) 139W(Tc) TO-220 [K]
型号:
APT1003RKLLG
仓库库存编号:
APT1003RKLLG-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 4A(Tc) 225W(Tc) TO-220
型号:
APT4F120K
仓库库存编号:
APT4F120K-ND
别名:APT4F120KMI
APT4F120KMI-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 4A(Tc) 40W(Tc) D-Pak
型号:
FDD5N50TF_WS
仓库库存编号:
FDD5N50TF_WS-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 4A(Tc) 80W(Tc) D-Pak
型号:
FQD6N60CTM
仓库库存编号:
FQD6N60CTM-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 530V 4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 530V 4A(Tc) 40W(Tc) D-Pak
型号:
FDD5N53TM_WS
仓库库存编号:
FDD5N53TM_WS-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 4A(Tc) 2.5W(Ta),48W(Tc) D-Pak
型号:
FQD5N50CTM_F080
仓库库存编号:
FQD5N50CTM_F080-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 4A 1212-8 PPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 4A(Tc) 3.1W(Ta),12.5W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7621DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7621DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7621DN-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 4A(Tc) 1.5W(Ta),3.1W(Tc) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5853CDC-T1-E3
仓库库存编号:
SI5853CDC-T1-E3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4A TO-220F-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 4A(Tc) 2W(Ta),30W(Tc) TO-220-3
型号:
2SK4198FS
仓库库存编号:
2SK4198FS-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 4A TO-252
详细描述:通孔 N 沟道 600V 4A(Tc) 125W(Tc) TO-251A
型号:
AOI4C60
仓库库存编号:
785-1648-5-ND
别名:785-1648-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 4A TO251A
详细描述:通孔 N 沟道 600V 4A(Tc) 83W(Tc) TO-251A
型号:
AOI4T60
仓库库存编号:
AOI4T60-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 4A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 900V 4A(Tc) 38.7W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M004A090FH
仓库库存编号:
GP1M004A090FH-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
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