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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 650V 8A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 8A（Tc） 208W（Tc） TO-220-3
  
  型号：AOT8N65_001
  仓库库存编号：AOT8N65_001-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8A（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 700V 8A（Tc） 40W（Tc） ITO-220
  
  型号：TSM8N70CI C0G
  仓库库存编号：TSM8N70CI C0G-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8A（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 8A（Tc） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4435DYTR
  仓库库存编号：SI4435DYTR-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8A（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 8A（Tc） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4435DY
  仓库库存编号：SI4435DY-ND
  别名：*SI4435DY
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8A（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 8A 8-TSSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 8A（Tc） 1.5W（Tc） 8-TSSOP
  
  型号：IRF7705
  仓库库存编号：IRF7705-ND
  别名：*IRF7705
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8A（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 8A（Tc） 1.5W（Tc） 8-TSSOP
  
  型号：IRF7702
  仓库库存编号：IRF7702-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8A（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 8A（Tc） 1.5W（Tc） 8-TSSOP
  
  型号：IRF7702TR
  仓库库存编号：IRF7702TR-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8A（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 8A 8-TSSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 8A（Tc） 1.5W（Tc） 8-TSSOP
  
  型号：IRF7705TR
  仓库库存编号：IRF7705TR-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8A（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 8A（Tc） 1.5W（Tc） 8-TSSOP
  
  型号：IRF7702TRPBF
  仓库库存编号：IRF7702TRPBFCT-ND
  别名：IRF7702TRPBFCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8A（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 8A 8-TSSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 8A（Tc） 1.5W（Ta） 8-TSSOP
  
  型号：IRF7705TRPBF
  仓库库存编号：IRF7705TRPBFCT-ND
  别名：IRF7705TRPBFCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8A（Tc）,
• 无铅
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