规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 69A(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(18)
分立半导体产品
(18)
筛选品牌
Infineon Technologies (5)
IXYS (4)
Nexperia USA Inc. (3)
Fairchild/ON Semiconductor (1)
ON Semiconductor (2)
Sanken (1)
STMicroelectronics (2)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 69A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 69A(Tc) 400W(Tc) TO-247-3
型号:
STW77N65M5
仓库库存编号:
497-10589-5-ND
别名:497-10589-5
STW77N65M5-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 69A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 69A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 69A(Tc) 480W(Tc) TO-3PN
型号:
FDA69N25
仓库库存编号:
FDA69N25-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 69A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 69A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 69A(Tc) 450W(Tc) TO-247
型号:
STW78N65M5
仓库库存编号:
497-13603-5-ND
别名:497-13603-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 69A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 69A(Tc) 125W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP12CN10LGXKSA1
仓库库存编号:
IPP12CN10LGXKSA1-ND
别名:IPP12CN10L G
IPP12CN10L G-ND
IPP12CN10LG
SP000680864
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 69A(Tc),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V MLFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 69A(Tc) 75W(Tc) LFPAK33
型号:
BUK7M8R0-40EX
仓库库存编号:
1727-2565-1-ND
别名:1727-2565-1
568-13009-1
568-13009-1-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 69A(Tc),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V LFPAK56
详细描述:表面贴装 N 沟道 69A(Tc) 195W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN015-100YLX
仓库库存编号:
1727-2591-1-ND
别名:1727-2591-1
568-13042-1
568-13042-1-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 69A(Tc),
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 69A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 69A(Tc) 71W(Tc) DPAK
型号:
STDV5804NT4G
仓库库存编号:
STDV5804NT4G-ND
别名:NTDV5804NT4G
NTDV5804NT4G-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 69A(Tc),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 69A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 69A(Tc) 195W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK9Y15-100E,115
仓库库存编号:
1727-1492-1-ND
别名:1727-1492-1
568-10972-1
568-10972-1-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 69A(Tc),
无铅
搜索
Sanken
MOSFET N-CH 60V 69A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 60V 69A(Tc) 42W(Tc) TO-220F
型号:
FKI06051
仓库库存编号:
FKI06051-ND
别名:FKI06051 DK
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 69A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 300V 69A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 69A(Tc) 500W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ69N30P
仓库库存编号:
IXTQ69N30P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 69A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 300V 69A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 300V 69A(Tc) 500W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH69N30P
仓库库存编号:
IXFH69N30P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 69A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 300V 69A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 300V 69A(Tc) 500W(Tc) TO-268
型号:
IXTT69N30P
仓库库存编号:
IXTT69N30P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 69A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 300V 69A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 300V 69A(Tc) 500W(Tc) TO-268
型号:
IXFT69N30P
仓库库存编号:
IXFT69N30P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 69A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 69A(Tc) 36W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA040N06NXKSA1
仓库库存编号:
IPA040N06NXKSA1-ND
别名:SP001196264
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 69A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N CH 55V 69A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 69A(Tc) 160W(Tc) TO-220AB
型号:
AUIRFZ48N
仓库库存编号:
AUIRFZ48N-ND
别名:SP001518286
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 69A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET IFX OPTIMOS TO247
详细描述:通孔 N 沟道 250V 69A(Tc) 313W(Tc) TO-247AC
型号:
IRF250P225
仓库库存编号:
IRF250P225-ND
别名:SP001582436
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 69A(Tc),
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 69A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 69A(Tc) 71W(Tc) DPAK
型号:
NTD5804NT4G
仓库库存编号:
NTD5804NT4GOSCT-ND
别名:NTD5804NT4GOSCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 69A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 69A TO251-3-11
详细描述:通孔 N 沟道 100V 69A(Tc) 125W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS12CN10LGBKMA1
仓库库存编号:
IPS12CN10LGBKMA1-ND
别名:IPS12CN10L G
IPS12CN10L G-ND
SP000311530
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 69A(Tc),
无铅
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号