规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 130A(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(63)
分立半导体产品
(63)
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 130A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRL1004S
仓库库存编号:
IRL1004S-ND
别名:*IRL1004S
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 130A(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 130A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 40V 130A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) TO-262
型号:
IRL1004L
仓库库存编号:
IRL1004L-ND
别名:*IRL1004L
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 130A(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 130A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRL1004STRL
仓库库存编号:
IRL1004STRL-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 130A(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 130A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRL1004STRR
仓库库存编号:
IRL1004STRR-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 130A(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 130A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75V 130A(Tc) 250W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB3307
仓库库存编号:
IRFB3307-ND
别名:*IRFB3307
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 130A(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 130A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 130A(Tc) 250W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS3307
仓库库存编号:
IRFS3307-ND
别名:*IRFS3307
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 130A(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 130A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 75V 130A(Tc) 250W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL3307
仓库库存编号:
IRFSL3307-ND
别名:*IRFSL3307
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 130A(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 130A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 60V 130A(Tc) 250W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP064VPBF
仓库库存编号:
IRFP064VPBF-ND
别名:*IRFP064VPBF
SP001556686
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 130A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 130A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 40V 130A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) TO-262
型号:
IRL1004LPBF
仓库库存编号:
IRL1004LPBF-ND
别名:*IRL1004LPBF
SP001557916
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 130A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 130A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 130A(Tc) 300W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL4310PBF
仓库库存编号:
IRFSL4310PBF-ND
别名:AUXCLFSL4310
AUXCLFSL4310-ND
SP001550204
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 130A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 130A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 130A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB4310GPBF
仓库库存编号:
IRFB4310GPBF-ND
别名:SP001564018
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 130A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 130A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRL1004STRLPBF
仓库库存编号:
IRL1004STRLPBFCT-ND
别名:IRL1004STRLPBFCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 130A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 130A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-7
型号:
IPB065N15N3GE8187ATMA1
仓库库存编号:
IPB065N15N3GE8187ATMA1CT-ND
别名:IPB065N15N3 G E8187CT
IPB065N15N3 G E8187CT-ND
IPB065N15N3GE8187
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 130A(Tc),
无铅
搜索
1
2
3
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号