规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 14A(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Tc) 3.1W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
IRF644STRLPBF
仓库库存编号:
IRF644STRLPBF-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 14A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Tc) 3.1W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
IRF644STRRPBF
仓库库存编号:
IRF644STRRPBF-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 14A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 14A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP14N60P
仓库库存编号:
IXTP14N60P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 14A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 14A D2-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Tc) 300W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA14N60P
仓库库存编号:
IXTA14N60P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 14A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 14A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 327W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH14N60P3
仓库库存编号:
IXFH14N60P3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 14A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 14A D2-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Tc) 300W(Tc) TO-263(IXFA)
型号:
IXFA14N60P
仓库库存编号:
IXFA14N60P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 14A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 14A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 300W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ14N60P
仓库库存编号:
IXTQ14N60P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 14A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 14A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH14N60P
仓库库存编号:
IXFH14N60P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 14A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 14A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 400W(Tc) TO-3P
型号:
IXFQ14N80P
仓库库存编号:
IXFQ14N80P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 14A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 14A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 400W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH14N80P
仓库库存编号:
IXFH14N80P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 14A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 14A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Tc) 400W(Tc) TO-268
型号:
IXFT14N80P
仓库库存编号:
IXFT14N80P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 14A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 14A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 180W(Tc) TO-247
型号:
IXFJ26N50P3
仓库库存编号:
IXFJ26N50P3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 14A(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 14A(Tc) 500W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT14M100B
仓库库存编号:
APT14M100B-ND
别名:APT14M100BMP
APT14M100BMP-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 14A(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 14A(Tc) 500W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT14F100B
仓库库存编号:
APT14F100B-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 14A(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1000V 14A(Tc) 500W(Tc) D3Pak
型号:
APT14M100S
仓库库存编号:
APT14M100S-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 14A(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1000V 14A(Tc) 500W(Tc) D3Pak
型号:
APT14F100S
仓库库存编号:
APT14F100S-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 14A(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 14A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1200V 14A(Tc) 625W(Tc) D3Pak
型号:
APT13F120S
仓库库存编号:
APT13F120S-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 14A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 14A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 800V 14A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH14N80
仓库库存编号:
IXFH14N80-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 14A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 14A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 800V 14A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH14N80
仓库库存编号:
IXTH14N80-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 14A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 14A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 14A(Tc) 360W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX14N100
仓库库存编号:
IXFX14N100-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 14A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 14A(Tc) 360W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH14N100
仓库库存编号:
IXTH14N100-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 14A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 14A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 1000V 14A(Tc) 360W(Tc) TO-268
型号:
IXFT14N100
仓库库存编号:
IXFT14N100-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 14A(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1000V 14A(Tc) 403W(Tc) D3 [S]
型号:
APT10078SLLG
仓库库存编号:
APT10078SLLG-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 14A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 14A(Tc) 86W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR13N15DTRPBF
仓库库存编号:
IRFR13N15DTRPBF-ND
别名:SP001571424
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 14A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 14A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 14A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP450
仓库库存编号:
497-2735-5-ND
别名:497-2735-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 14A(Tc),
含铅
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