规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 64A(Tc),
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 64A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 64A(Tc) 830W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX64N50P
仓库库存编号:
IXFX64N50P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 64A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 64A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 64A(Tc) 1000W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX64N50Q3
仓库库存编号:
IXFX64N50Q3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 64A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 64A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 64A(Tc) 1000W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK64N50Q3
仓库库存编号:
IXFK64N50Q3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 64A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 64A(Tc) 1250W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX64N60Q3
仓库库存编号:
IXFX64N60Q3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 64A(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 64A(Tc) 50W(Tc) 8-PDFN(3x3)
型号:
TSM085P03CV RGG
仓库库存编号:
TSM085P03CV RGGTR-ND
别名:TSM085P03CV RGGTR
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 64A(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 64A(Tc) 50W(Tc) 8-PDFN(3x3)
型号:
TSM085P03CV RGG
仓库库存编号:
TSM085P03CV RGGCT-ND
别名:TSM085P03CV RGGCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 64A(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 64A(Tc) 50W(Tc) 8-PDFN(3x3)
型号:
TSM085P03CV RGG
仓库库存编号:
TSM085P03CV RGGDKR-ND
别名:TSM085P03CV RGGDKR
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 64A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 80V 64A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 64A(Tc) 35W(Tc) TO-220FP
型号:
STF140N8F7
仓库库存编号:
497-14227-5-ND
别名:497-14227-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 64A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 64A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 64A(Tc) 230W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP90220E-GE3
仓库库存编号:
SUP90220E-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 64A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 64A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 64A(Tc) 230W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
SUM90220E-GE3
仓库库存编号:
SUM90220E-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 64A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 64A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 64A(Tc) TO-251
型号:
IXTU64N055T
仓库库存编号:
IXTU64N055T-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 64A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 64A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 64A(Tc) 400W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ64N25P
仓库库存编号:
IXTQ64N25P-ND
别名:Q2310188
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 64A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 64A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 64A(Tc) 400W(Tc) TO-268
型号:
IXTT64N25P
仓库库存编号:
IXTT64N25P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 64A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 64A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 64A(Tc) 357W(Tc) TO-247
型号:
IXTH64N10L2
仓库库存编号:
IXTH64N10L2-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 64A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 650V
详细描述:通孔 N 沟道 650V 64A(Tc) 520W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG64N65E-GE3
仓库库存编号:
SIHG64N65E-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 64A(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 64A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 64A(Tc) 46W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC065N06LS5ATMA1
仓库库存编号:
BSC065N06LS5ATMA1-ND
别名:SP001385614
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 64A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 64A(Tc) 94W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3103STRLPBF
仓库库存编号:
IRL3103STRLPBF-ND
别名:SP001552534
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 64A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 64A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 250V 64A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI200N25N3 G
仓库库存编号:
IPI200N25N3 G-ND
别名:IPI200N25N3G
IPI200N25N3GAKSA1
SP000714308
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 64A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 64A(Tc) D2PAK
型号:
IRL3103D1STRR
仓库库存编号:
IRL3103D1STRR-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 64A(Tc),
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 64A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 64A(Tc) 150W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUFA75433S3ST
仓库库存编号:
HUFA75433S3ST-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 64A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 64A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 60V 64A(Tc) 130W(Tc) TO-220
型号:
NDP7061
仓库库存编号:
NDP7061-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 64A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 64A TO-3PN
详细描述:通孔 N 沟道 250V 64A(Tc) 357W(Tc) TO-3PN
型号:
FDA2712
仓库库存编号:
FDA2712-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 64A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 64A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 64A(Tc) 130W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP64N055T
仓库库存编号:
IXTP64N055T-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 64A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 64A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 64A(Tc) 130W(Tc) TO-252
型号:
IXTY64N055T
仓库库存编号:
IXTY64N055T-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 64A(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 64A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 64A(Tc) 200W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7619-100B,118
仓库库存编号:
568-5853-1-ND
别名:568-5853-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 64A(Tc),
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