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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 0.1A VMT3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100mA（Ta） 150mW（Ta） VMT3
  
  型号：RZM001P02T2L
  仓库库存编号：RZM001P02T2LCT-ND
  别名：RZM001P02T2LCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 0.1A VMT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 150mW（Ta） VMT3
  
  型号：RUM001L02T2CL
  仓库库存编号：RUM001L02T2CLCT-ND
  别名：RUM001L02T2CLCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V .1A SOT416
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 150mW（Ta） EMT3
  
  型号：2SK3019TL
  仓库库存编号：2SK3019TLCT-ND
  别名：2SK3019TLCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V .1A SOT-323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 200mW（Ta） UMT3
  
  型号：2SK3018T106
  仓库库存编号：2SK3018T106CT-ND
  别名：2SK3018T106CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V .1A VMT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 150mW（Ta） VMT3
  
  型号：2SK3541T2L
  仓库库存编号：2SK3541T2LCT-ND
  别名：2SK3541T2LCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V .1A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 330mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：ZVN3310FTA
  仓库库存编号：ZVN3310FCT-ND
  别名：BST82
  ZVN3310F
  ZVN3310FCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 30V 0.1A VESM
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100mA（Ta） 150mW（Ta） VESM
  
  型号：SSM3J15FV,L3F
  仓库库存编号：SSM3J15FVL3FCT-ND
  别名：SSM3J15FVL3FCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 0.1A SSM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 150mW（Ta） USM
  
  型号：SSM3K15AFU,LF
  仓库库存编号：SSM3K15AFULFCT-ND
  别名：SSM3K15AFULFCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 0.1A U-MOS III
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 150mW（Ta） VESM
  
  型号：SSM3K15AMFV,L3F
  仓库库存编号：SSM3K15AMFVL3FCT-ND
  别名：SSM3K15AMFVL3FCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 0.1A SSM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 100mW（Ta） SSM
  
  型号：SSM3K15AFS,LF
  仓库库存编号：SSM3K15AFSLFCT-ND
  别名：SSM3K15AFSLFCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 0.1A VML0806
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100mA（Ta） 100mW（Ta） VML0806
  
  型号：RV1C001ZPT2L
  仓库库存编号：RV1C001ZPT2LCT-ND
  别名：RV1C001ZPT2LCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA（Ta）,
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• Panasonic Electronic Components
  MOSFET N-CH 60V 100MA SSSMINI3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 100mW（Ta） SSSMini3-F2-B
  
  型号：FK3306010L
  仓库库存编号：FK3306010LCT-ND
  别名：FK3306010LCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA（Ta）,
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• Panasonic Electronic Components
  MOSFET N-CH 30V 100MA SSSMINI3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 100mW（Ta） SSSMini3-F2-B
  
  型号：FK3303010L
  仓库库存编号：FK3303010LCT-ND
  别名：FK3303010LCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 20V 0.1A USM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 150mW（Ta） USM
  
  型号：SSM3K16FU,LF
  仓库库存编号：SSM3K16FULFCT-ND
  别名：SSM3K16FULFCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 0.1A EMT3FM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 150mW（Ta） EMT3F（SOT-416FL）
  
  型号：RE1C001UNTCL
  仓库库存编号：RE1C001UNTCLCT-ND
  别名：RE1C001UNTCLCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 0.1A UMT3F
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 150mW（Ta） UMT3F
  
  型号：RU1C001UNTCL
  仓库库存编号：RU1C001UNTCLCT-ND
  别名：RU1C001UNTCLCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA（Ta）,
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• Panasonic Electronic Components
  MOSFET N-CH 30V 100MA SMINI3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 150mW（Ta） SMini3-F2-B
  
  型号：FK3503010L
  仓库库存编号：FK3503010LCT-ND
  别名：FK3503010LCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA（Ta）,
• 无铅
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• Panasonic Electronic Components
  MOSFET N-CH 60V 100MA SMINI3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 150mW（Ta） SMini3-F2-B
  
  型号：FK3506010L
  仓库库存编号：FK3506010LCT-ND
  别名：FK3506010LCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA（Ta）,
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• Central Semiconductor Corp
  MOSFET N-CH 20V 0.1A SOT883
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 100mW（Ta） SOT-883VL
  
  型号：CEDM7001VL TR
  仓库库存编号：CEDM7001VL CT-ND
  别名：CEDM7001VL CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS139H6327XTSA1
  仓库库存编号：BSS139H6327XTSA1CT-ND
  别名：BSS139 H6327CT
  BSS139 H6327CT-ND
  BSS139H6327XTSA1CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 0.1A UMT3F
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100mA（Ta） 150mW（Ta） UMT3F
  
  型号：RU1C001ZPTL
  仓库库存编号：RU1C001ZPTLCT-ND
  别名：RU1C001ZPTLCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 250mW（Ta） 3-CP
  
  型号：5LN01C-TB-E
  仓库库存编号：5LN01C-TB-EOSCT-ND
  别名：5LN01C-TB-EOSCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA（Ta）,
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• Central Semiconductor Corp
  MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT883
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100mA（Ta） 100mW（Ta） SOT-883VL
  
  型号：CEDM8001VL TR
  仓库库存编号：CEDM8001VL CT-ND
  别名：CEDM8001VL CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA（Ta）,
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• Central Semiconductor Corp
  MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT523
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100mA（Ta） 250mW（Ta） SOT-523
  
  型号：CMUDM8001 TR
  仓库库存编号：CMUDM8001 CT-ND
  别名：CMUDM8001 CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 20V 0.1A VESM
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100mA（Ta） 150mW（Ta） VESM
  
  型号：SSM3J35MFV,L3F
  仓库库存编号：SSM3J35MFVL3FCT-ND
  别名：SSM3J35MFV(TL3T)CT
  SSM3J35MFV(TL3T)CT-ND
  SSM3J35MFVL3FCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA（Ta）,
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