规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.8A（Ta）,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 20V SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.8A（Ta） 510mW（Ta）, 6.94W（Tc） TO-236AB（SOT23）
型号：
PMV16XNR
仓库库存编号：
1727-2300-1-ND
别名：1727-2300-1
568-12586-1
568-12586-1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.8A（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V 6.8A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 6.8A（Ta） 2.15W（Ta） TO-252-3
型号：
ZXMP6A18KTC
仓库库存编号：
ZXMP6A18KTCCT-ND
别名：ZXMP6A18KTCCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.8A（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 6.8A U-DFN2020-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 6.8A（Ta） 660mW（Ta） U-DFN2020-6（E 类）
型号：
DMP3028LFDE-7
仓库库存编号：
DMP3028LFDE-7DICT-ND
别名：DMP3028LFDE-7DICT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.8A（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 6.8A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.8A（Ta） 780mW（Ta） 8-SOIC
型号：
NTMS4816NR2G
仓库库存编号：
NTMS4816NR2GOSCT-ND
别名：NTMS4816NR2GOSCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.8A（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 6.8A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.8A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7402TRPBF
仓库库存编号：
IRF7402PBFCT-ND
别名：*IRF7402TRPBF
IRF7402PBFCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.8A（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 6.8A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 6.8A（Ta） 60W（Tc） DPAK
型号：
TK7P65W,RQ
仓库库存编号：
TK7P65WRQCT-ND
别名：TK7P65WRQCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.8A（Ta）,
无铅
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EPC
TRANS GAN 80V BUMPED DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 6.8A（Ta） 模具
型号：
EPC2039
仓库库存编号：
917-1147-1-ND
别名：917-1147-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.8A（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 6.8A U-DFN2020-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 6.8A（Ta） 660mW（Ta） U-DFN2020-6（E 类）
型号：
DMP3028LFDE-13
仓库库存编号：
DMP3028LFDE-13DICT-ND
别名：DMP3028LFDE-13DICT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.8A（Ta）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 6.8A MLP2X2
详细描述：表面贴装 P 沟道 6.8A（Ta） 2.4W（Ta） 6-MicroFET（2x2）
型号：
FDMA530PZ
仓库库存编号：
FDMA530PZCT-ND
别名：FDMA530PZCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.8A（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 6.8A TO-220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 6.8A（Ta） 30W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK7A65W,S5X
仓库库存编号：
TK7A65WS5X-ND
别名：TK7A65W,S5X(M
TK7A65WS5X
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.8A（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10.7A UDFN6
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.8A（Ta） 630mW（Ta） 6-UDFN（2x2）
型号：
NTLUS4C12NTAG
仓库库存编号：
NTLUS4C12NTAG-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.8A（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10.7A UDFN6
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.8A（Ta） 630mW（Ta） 6-UDFN（2x2）
型号：
NTLUS4C12NTBG
仓库库存编号：
NTLUS4C12NTBG-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.8A（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10.7A 6UDFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.8A（Ta） 630mW（Ta） 6-UDFN（2x2）
型号：
NVLUS4C12NTAG
仓库库存编号：
NVLUS4C12NTAG-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.8A（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 6.8A 8-TSSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 6.8A（Ta） 930mW（Ta） 8-TSSOP
型号：
NTQS6463R2
仓库库存编号：
NTQS6463R2OS-ND
别名：NTQS6463R2OS
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.8A（Ta）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 6.8A 8-TSSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 6.8A（Ta） 1.05W（Ta） 8-TSSOP
型号：
SI6467BDQ-T1-E3
仓库库存编号：
SI6467BDQ-T1-E3CT-ND
别名：SI6467BDQ-T1-E3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.8A（Ta）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MICROFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 6.8A（Ta） 1.9W（Ta） 8-MLP，MicroFET（3x1.9）
型号：
FDMB506P
仓库库存编号：
FDMB506P-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.8A（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 6.8A（Ta） 1.05W（Ta） 8-TSSOP
型号：
SI6467BDQ-T1-GE3
仓库库存编号：
SI6467BDQ-T1-GE3CT-ND
别名：SI6467BDQ-T1-GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.8A（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 6.8A 8TSSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 6.8A（Ta） 1.05W（Ta） 8-TSSOP
型号：
SI6466ADQ-T1-E3
仓库库存编号：
SI6466ADQ-T1-E3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.8A（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 6.8A 8TSSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 6.8A（Ta） 1.05W（Ta） 8-TSSOP
型号：
SI6466ADQ-T1-GE3
仓库库存编号：
SI6466ADQ-T1-GE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.8A（Ta）,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 6.8A（Ta） 8-SOIC
型号：
NVMS4816NR2G
仓库库存编号：
NVMS4816NR2G-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.8A（Ta）,
无铅
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EPC
TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 6.8A（Ta） 模具
型号：
EPC2039ENGRT
仓库库存编号：
917-EPC2039ENGRCT-ND
别名：917-EPC2039ENGRCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.8A（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 6.8A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 6.8A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7402TR
仓库库存编号：
IRF7402TR-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.8A（Ta）,
含铅
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