规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.8A(Ta),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 6.8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.8A(Ta) 780mW(Ta) 8-SOIC
型号:
NTMS4816NR2G
仓库库存编号:
NTMS4816NR2GOSCT-ND
别名:NTMS4816NR2GOSCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.8A(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 6.8A MLP2X2
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.8A(Ta) 2.4W(Ta) 6-MicroFET(2x2)
型号:
FDMA530PZ
仓库库存编号:
FDMA530PZCT-ND
别名:FDMA530PZCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.8A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10.7A UDFN6
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.8A(Ta) 630mW(Ta) 6-UDFN(2x2)
型号:
NTLUS4C12NTAG
仓库库存编号:
NTLUS4C12NTAG-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.8A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10.7A UDFN6
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.8A(Ta) 630mW(Ta) 6-UDFN(2x2)
型号:
NTLUS4C12NTBG
仓库库存编号:
NTLUS4C12NTBG-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.8A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10.7A 6UDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.8A(Ta) 630mW(Ta) 6-UDFN(2x2)
型号:
NVLUS4C12NTAG
仓库库存编号:
NVLUS4C12NTAG-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.8A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 6.8A 8-TSSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 6.8A(Ta) 930mW(Ta) 8-TSSOP
型号:
NTQS6463R2
仓库库存编号:
NTQS6463R2OS-ND
别名:NTQS6463R2OS
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.8A(Ta),
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MICROFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 6.8A(Ta) 1.9W(Ta) 8-MLP,MicroFET(3x1.9)
型号:
FDMB506P
仓库库存编号:
FDMB506P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.8A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 6.8A(Ta) 8-SOIC
型号:
NVMS4816NR2G
仓库库存编号:
NVMS4816NR2G-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.8A(Ta),
无铅
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