规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.2A(Ta),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.2A(Ta) 1.4W(Ta) SOT-23
型号:
DMG2305UX-13
仓库库存编号:
DMG2305UX-13DICT-ND
别名:DMG2305UX-13DICT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.2A(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.2A(Ta) 1.4W(Ta) SOT-23
型号:
DMG2305UX-7
仓库库存编号:
DMG2305UX-7DICT-ND
别名:DMG2305UX-7DICT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.2A(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.2A(Ta) 800mW(Ta) SOT-23-3
型号:
DMN2075U-7
仓库库存编号:
DMN2075U-7DICT-ND
别名:DMN2075U-7DICT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.2A(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.2A(Ta) 1.4W(Ta) SOT-23-3
型号:
DMP2305U-7
仓库库存编号:
DMP2305UDICT-ND
别名:DMP2305UDICT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.2A(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.2A(Ta) 800mW(Ta) SOT-23-3
型号:
DMG2302U-7
仓库库存编号:
DMG2302U-7DICT-ND
别名:DMG2302U-7DICT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.2A(Ta),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 20V SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.2A(Ta) 490mW(Ta), 5W(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV30UN2R
仓库库存编号:
1727-2305-1-ND
别名:1727-2305-1
568-12591-1
568-12591-1-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.2A(Ta),
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 20V 4.2A UFM
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.2A(Ta) 500mW(Ta) UFM
型号:
SSM3K123TU,LF
仓库库存编号:
SSM3K123TULFCT-ND
别名:SSM3K123TU(T5LT)CT
SSM3K123TU(T5LT)CT-ND
SSM3K123TU(TE85L)CT
SSM3K123TU(TE85L)CT-ND
SSM3K123TULFCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.2A(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.2A(Ta) 780mW(Ta) SOT-23-3
型号:
DMG3414U-7
仓库库存编号:
DMG3414U-7DICT-ND
别名:DMG3414U-7DICT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.2A(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.2A(Ta) 1.25W(Ta) Micro3?/SOT-23
型号:
IRLML2502TRPBF
仓库库存编号:
IRLML2502PBFCT-ND
别名:*IRLML2502TRPBF
IRLML2502PBFCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.2A(Ta),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 4.2A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.2A(Ta) 2W(Ta) 6-TSOP
型号:
AO6420
仓库库存编号:
785-1206-1-ND
别名:785-1206-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.2A(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 4.2A SC59
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.2A(Ta) 780mW(Ta) SC-59
型号:
DMN3070SSN-7
仓库库存编号:
DMN3070SSN-7DICT-ND
别名:DMN3070SSN-7DICT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.2A(Ta),
含铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 20V 4.2A
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.2A(Ta) 500mW(Ta) UF6
型号:
SSM6K403TU,LF
仓库库存编号:
SSM6K403TULFCT-ND
别名:SSM6K403TULF(BCT
SSM6K403TULF(BCT-ND
SSM6K403TULFCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.2A(Ta),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 4.2A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.2A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4486
仓库库存编号:
785-1552-1-ND
别名:785-1552-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.2A(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V U-WLB1515-9
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.2A(Ta) 1W(Ta) U-WLB1515-9
型号:
DMP2033UCB9-7
仓库库存编号:
DMP2033UCB9-7DICT-ND
别名:DMP2033UCB9-7DICT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.2A(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT-26
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.2A(Ta) 1.2W(Ta) TSOT-26
型号:
DMP2033UVT-7
仓库库存编号:
DMP2033UVT-7DICT-ND
别名:DMP2033UVT-7DICT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.2A(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.2A(Ta) 2.11W(Ta) TO-252-3
型号:
ZXMN10A25K
仓库库存编号:
ZXMN10A25KCT-ND
别名:ZXMN10A25KCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.2A(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.2A(Ta) 2.11W(Ta) TO-252-3
型号:
ZXMN10A25K
仓库库存编号:
981-ZXMN10A25K-CHP
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.2A(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.2A(Ta) 780mW(Ta) SOT-23
型号:
DMG3404L-7
仓库库存编号:
DMG3404L-7DICT-ND
别名:DMG3404L-7DICT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.2A(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.2A(Ta) 980mW(Ta) PowerDI3333-8
型号:
DMN10H099SFG-7
仓库库存编号:
DMN10H099SFG-7DICT-ND
别名:DMN10H099SFG-7DICT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.2A(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.2A(Ta) 1.25W(Ta) Micro3?/SOT-23
型号:
IRLML2502GTRPBF
仓库库存编号:
IRLML2502GTRPBFCT-ND
别名:IRLML2502GTRPBFCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.2A(Ta),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
PMV50EPEA/TO-236AB/REEL 7" Q3/
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.2A(Ta) 310mW(Ta), 455mW(Tc) TO-236AB
型号:
PMV50EPEAR
仓库库存编号:
1727-2727-1-ND
别名:1727-2727-1
568-13291-1
568-13291-1-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.2A(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.2A(Ta) 2.11W(Ta) TO-252-3
型号:
ZXMN10A25KTC
仓库库存编号:
ZXMN10A25KTCCT-ND
别名:ZXMN10A25KTCCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.2A(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 70V 6.1A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.2A(Ta) 2.11W(Ta) TO-252-3
型号:
ZXMN7A11KTC
仓库库存编号:
ZXMN7A11KCT-ND
别名:ZXMN7A11KCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.2A(Ta),
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 41V 60V U-DFN2020-
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.2A(Ta) 1.97W(Ta) U-DFN2020-6(F 类)
型号:
DMP6110SFDF-7
仓库库存编号:
DMP6110SFDF-7DICT-ND
别名:DMP6110SFDF-7DICT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.2A(Ta),
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.2A(Ta) 1.4W(Ta) SOT-23
型号:
DMG2305UXQ-13
仓库库存编号:
DMG2305UXQ-13-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.2A(Ta),
无铅
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