规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.2A(Ta),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.2A(Ta) 1.4W(Ta) SOT-23
型号:
DMG2305UXQ-7
仓库库存编号:
DMG2305UXQ-7-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.2A(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.2A(Ta) 780mW SOT-23-3
型号:
DMG3414UQ-13
仓库库存编号:
DMG3414UQ-13-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.2A(Ta),
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.2A(Ta) 780mW SOT-23-3
型号:
DMG3414UQ-7
仓库库存编号:
DMG3414UQ-7-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.2A(Ta),
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.2A(Ta) 800mW(Ta) SOT-23-3
型号:
DMG2302UQ-13
仓库库存编号:
DMG2302UQ-13DI-ND
别名:DMG2302UQ-13DI
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.2A(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT-26
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.2A(Ta) 1.2W(Ta) TSOT-26
型号:
DMP2033UVT-13
仓库库存编号:
DMP2033UVT-13-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.2A(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 41V 60V U-DFN2020-
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.2A(Ta) 1.97W(Ta) U-DFN2020-6(F 类)
型号:
DMP6110SFDF-13
仓库库存编号:
DMP6110SFDF-13-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.2A(Ta),
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.2A(Ta) 800mW(Ta) SOT-23-3
型号:
DMG2302UQ-7
仓库库存编号:
DMG2302UQ-7DI-ND
别名:DMG2302UQ-7DI
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.2A(Ta),
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 4.2A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.2A(Ta) 600mW(Ta) 6-TSOP
型号:
NTGS3130NT1G
仓库库存编号:
NTGS3130NT1GOSTR-ND
别名:NTGS3130NT1G-ND
NTGS3130NT1GOSTR
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.2A(Ta),
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 4.2A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.2A(Ta) 600mW(Ta) 6-TSOP
型号:
NVGS3130NT1G
仓库库存编号:
NVGS3130NT1G-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.2A(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 4.2A SC75-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 4.2A(Ta) 1.6W(Ta) SC75-6 FLMP
型号:
FDJ129P
仓库库存编号:
FDJ129PCT-ND
别名:FDJ129P_NLCT
FDJ129P_NLCT-ND
FDJ129PCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.2A(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 4.2A SSOT-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 4.2A(Ta) 1.8W(Ta) SuperSOT?-8
型号:
NDH832P
仓库库存编号:
NDH832P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.2A(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 4.2A(Ta) 1.25W(Ta) Micro3?/SOT-23
型号:
IRLML2502TR
仓库库存编号:
IRLML2502CT-ND
别名:*IRLML2502TR
IRLML2502
IRLML2502-ND
IRLML2502CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.2A(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 4.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 4.2A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF1902TRPBF
仓库库存编号:
IRF1902TRPBFCT-ND
别名:IRF1902TRPBFCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.2A(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 4.2A(Ta) 8-SO
型号:
IRF1902GTRPBF
仓库库存编号:
IRF1902GTRPBF-ND
别名:SP001561612
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.2A(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 4.2A(Ta) 8-SO
型号:
IRF1902GPBF
仓库库存编号:
IRF1902GPBF-ND
别名:SP001571184
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.2A(Ta),
无铅
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