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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 4.9A SSOT-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.9A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT?-6
  
  型号：FDC610PZ
  仓库库存编号：FDC610PZCT-ND
  别名：FDC610PZCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.9A（Ta）,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 4.9A TSOT-26
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.9A（Ta） 1.2W（Ta） TSOT-26
  
  型号：DMP3065LVT-7
  仓库库存编号：DMP3065LVT-7DICT-ND
  别名：DMP3065LVT-7DICT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.9A（Ta）,
• 无铅
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, DUAL, P-CHANNEL, -30V, -
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4.9A (Ta) 2.5W Surface Mount 8-SOP
  
  型号：TSM4953DCS RLG
  仓库库存编号：TSM4953DCS RLGTR-ND
  别名：TSM4953DCS RLGTR
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.9A（Ta）,
• 无铅
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, DUAL, P-CHANNEL, -30V, -
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4.9A (Ta) 2.5W Surface Mount 8-SOP
  
  型号：TSM4953DCS RLG
  仓库库存编号：TSM4953DCS RLGCT-ND
  别名：TSM4953DCS RLGCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.9A（Ta）,
• 无铅
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, DUAL, P-CHANNEL, -30V, -
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4.9A (Ta) 2.5W Surface Mount 8-SOP
  
  型号：TSM4953DCS RLG
  仓库库存编号：TSM4953DCS RLGDKR-ND
  别名：TSM4953DCS RLGDKR
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.9A（Ta）,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.9A（Ta） 1.4W SOT-23-3
  
  型号：ZXMN2F30FHQTA
  仓库库存编号：ZXMN2F30FHQTA-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.9A（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.9A（Ta） 800mW（Ta） ChipFET?
  
  型号：NTHS4166NT1G
  仓库库存编号：NTHS4166NT1GOSCT-ND
  别名：NTHS4166NT1GOSCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.9A（Ta）,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 4.9A（Ta） 1.3W（Ta） ChipFET?
  
  型号：NTHS5402T1
  仓库库存编号：NTHS5402T1OS-ND
  别名：NTHS5402T1OS
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.9A（Ta）,
• 含铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 4.9A（Ta） 1.3W（Ta） ChipFET?
  
  型号：NTHS4501NT1G
  仓库库存编号：NTHS4501NT1GOSCT-ND
  别名：NTHS4501NT1GOSCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.9A（Ta）,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 4.9A D-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 4.9A（Ta） 42W（Ta） TO-252
  
  型号：FDD2612
  仓库库存编号：FDD2612-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.9A（Ta）,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 4.9A（Ta） 1.3W（Ta） ChipFET?
  
  型号：NTHS4501NT1
  仓库库存编号：NTHS4501NT1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.9A（Ta）,
• 含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 4.9A（Ta） 1.3W（Ta） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5402BDC-T1-E3
  仓库库存编号：SI5402BDC-T1-E3CT-ND
  别名：SI5402BDC-T1-E3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.9A（Ta）,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 4.9A（Ta） 750mW（Ta） 8-SOIC
  
  型号：NTMS4800NR2G
  仓库库存编号：NTMS4800NR2G-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.9A（Ta）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 4.9A（Ta） 1.3W（Ta） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5402BDC-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5402BDC-T1-GE3CT-ND
  别名：SI5402BDC-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.9A（Ta）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 4.9A（Ta） 1.3W（Ta） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5402DC-T1-E3
  仓库库存编号：SI5402DC-T1-E3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.9A（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 4.9A（Ta） 1.3W（Ta） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5402DC-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5402DC-T1-GE3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.9A（Ta）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 4.9A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 4.9A（Ta） 1.8W（Ta），8.3W（Tc） SOT-223
  
  型号：PHT11N06LT,135
  仓库库存编号：PHT11N06LT,135-ND
  别名：934054590135
  PHT11N06LT /T3
  PHT11N06LT /T3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.9A（Ta）,
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