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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CHAN 40V SO23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.1A（Tc） 3W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SQ2389ES-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ2389ES-T1_GE3CT-ND
  别名：SQ2389ES-T1_GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.1A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.1A（Tc） 2W（Ta），3.3W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SI3458BDV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3458BDV-T1-GE3CT-ND
  别名：SI3458BDV-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.1A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 4.1A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFBE30PBF
  仓库库存编号：IRFBE30PBF-ND
  别名：*IRFBE30PBF
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.1A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.1A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBE30SPBF
  仓库库存编号：IRFBE30SPBF-ND
  别名：*IRFBE30SPBF
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.1A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.1A（Tc） 2W（Ta），3.3W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SI3458BDV-T1-E3
  仓库库存编号：SI3458BDV-T1-E3CT-ND
  别名：SI3458BDV-T1-E3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.1A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 4.1A（Tc） 125W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFPE30PBF
  仓库库存编号：IRFPE30PBF-ND
  别名：*IRFPE30PBF
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.1A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 4.1A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.1A（Tc） 1.7W（Ta），2.8W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4823DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4823DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4823DY-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.1A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 250V 4.1A TO220FP
  详细描述：通孔 P 沟道 4.1A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI9634GPBF
  仓库库存编号：IRFI9634GPBF-ND
  别名：*IRFI9634GPBF
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.1A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 4.1A（Tc） 30W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI620GPBF
  仓库库存编号：IRFI620GPBF-ND
  别名：*IRFI620GPBF
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.1A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 4.1A（Tc） 125W（Tc） I2PAK
  
  型号：IRFBE30LPBF
  仓库库存编号：IRFBE30LPBF-ND
  别名：*IRFBE30LPBF
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.1A（Tc）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 4.1A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.1A（Tc） 83W（Tc） DPAK
  
  型号：NDD04N60ZT4G
  仓库库存编号：NDD04N60ZT4GOSCT-ND
  别名：NDD04N60ZT4GOSCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.1A（Tc）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 4A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 4.1A（Tc） 83W（Tc） I-Pak
  
  型号：NDD04N60Z-1G
  仓库库存编号：NDD04N60Z-1GOS-ND
  别名：NDD04N60Z-1G-ND
  NDD04N60Z-1GOS
  NDD04N60Z1G
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.1A（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.1A（Tc） 1.56W（Tc） SOT-23
  
  型号：TSM650P02CX RFG
  仓库库存编号：TSM650P02CX RFGTR-ND
  别名：TSM650P02CX RFGTR
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.1A（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.1A（Tc） 1.56W（Tc） SOT-23
  
  型号：TSM650P02CX RFG
  仓库库存编号：TSM650P02CX RFGCT-ND
  别名：TSM650P02CX RFGCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.1A（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.1A（Tc） 1.56W（Tc） SOT-23
  
  型号：TSM650P02CX RFG
  仓库库存编号：TSM650P02CX RFGDKR-ND
  别名：TSM650P02CX RFGDKR
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.1A（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.1A（Tc） 1.56W（Tc） SOT-23
  
  型号：TSM650P03CX RFG
  仓库库存编号：TSM650P03CX RFGTR-ND
  别名：TSM650P03CX RFGTR
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.1A（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.1A（Tc） 1.56W（Tc） SOT-23
  
  型号：TSM650P03CX RFG
  仓库库存编号：TSM650P03CX RFGCT-ND
  别名：TSM650P03CX RFGCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.1A（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.1A（Tc） 1.56W（Tc） SOT-23
  
  型号：TSM650P03CX RFG
  仓库库存编号：TSM650P03CX RFGDKR-ND
  别名：TSM650P03CX RFGDKR
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.1A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 4.1A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.1A（Tc） 1.7W（Ta），2.8W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4823DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4823DY-T1-E3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.1A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.1A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBE30STRLPBF
  仓库库存编号：IRFBE30STRLPBF-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.1A（Tc）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 4.1A
  详细描述：通孔 N 沟道 4.1A（Tc） 2W（Ta），37W（Tc） TO-220-3 Fullpack/TO-220F-3SG
  
  型号：BFL4001-1E
  仓库库存编号：BFL4001-1E-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.1A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 4.1A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 4.1A（Tc） 26.4W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：IPA50R800CEXKSA2
  仓库库存编号：IPA50R800CEXKSA2-ND
  别名：SP001217234
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.1A（Tc）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 20V 4.1A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 4.1A（Tc） 1.75W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：PMN55LN,135
  仓库库存编号：568-7425-1-ND
  别名：568-7425-1
  PMN55LN135
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.1A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 4.1A（Tc） 125W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFPE30
  仓库库存编号：IRFPE30-ND
  别名：*IRFPE30
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.1A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 4.1A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFBE30
  仓库库存编号：IRFBE30-ND
  别名：*IRFBE30
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.1A（Tc）,
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