规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Ta）,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 21A D-PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta） 28W（Ta） TO-252
型号：
FDD6630A
仓库库存编号：
FDD6630ACT-ND
别名：FDD6630ACT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF8734TRPBF
仓库库存编号：
IRF8734TRPBFCT-ND
别名：IRF8734TRPBFCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Ta）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 25V 21A POLARPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta） 5.2W（Ta） PolarPak?
型号：
STK820
仓库库存编号：
497-6324-1-ND
别名：497-6324-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Ta）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 21A D-PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta） 3.3W（Ta），33W（Tc） TO-252
型号：
FDD6530A
仓库库存编号：
FDD6530ACT-ND
别名：FDD6530ACT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Ta）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 21A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta） 160W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
FDD8870_F085
仓库库存编号：
FDD8870_F085CT-ND
别名：FDD8870_F085CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Ta）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
FDS6699S
仓库库存编号：
FDS6699SCT-ND
别名：FDS6699SCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7862TRPBF
仓库库存编号：
IRF7862TRPBFCT-ND
别名：IRF7862TRPBFCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7831TRPBF
仓库库存编号：
IRF7831PBFCT-ND
别名：*IRF7831TRPBF
IRF7831PBFCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 71A U8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta） 3.1W（Ta），37W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
型号：
NVTFS4C06NTWG
仓库库存编号：
NVTFS4C06NTWG-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 71A U8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta） 3.1W（Ta），37W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
型号：
NVTFS4C06NTAG
仓库库存编号：
NVTFS4C06NTAG-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 71A U8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta） 3.1W（Ta），37W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
型号：
NVTFS4C06NWFTWG
仓库库存编号：
NVTFS4C06NWFTWG-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 71A U8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta） 3.1W（Ta），37W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
型号：
NVTFS4C06NWFTAG
仓库库存编号：
NVTFS4C06NWFTAG-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 120A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 21A（Ta） 3.7W（Ta），127W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5832NLT3G
仓库库存编号：
NVMFS5832NLT3G-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 120A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 21A（Ta） 3.7W（Ta），127W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5832NLWFT3G
仓库库存编号：
NVMFS5832NLWFT3G-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 120A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 21A（Ta） 3.7W（Ta），127W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5832NLT1G
仓库库存编号：
NVMFS5832NLT1G-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 120A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 21A（Ta） 3.7W（Ta），127W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5832NLWFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5832NLWFT1G-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Ta）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 21A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 21A（Ta） 3W（Ta） 8-SO
型号：
FDS6162N3
仓库库存编号：
FDS6162N3CT-ND
别名：FDS6162N3_NLCT
FDS6162N3_NLCT-ND
FDS6162N3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Ta）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 21A（Ta） 3W（Ta） 8-SO
型号：
FDS7088N3
仓库库存编号：
FDS7088N3CT-ND
别名：FDS7088N3_NLCT
FDS7088N3_NLCT-ND
FDS7088N3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Ta）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 21A（Ta） 3W（Ta） 8-SO
型号：
FDS6299S
仓库库存编号：
FDS6299S-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Ta）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 21A（Ta） 3W（Ta） 8-SO
型号：
FDS7088SN3
仓库库存编号：
FDS7088SN3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Ta）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 21A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
FDS8670
仓库库存编号：
FDS8670CT-ND
别名：FDS8670CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 20A SOP-8 ADV
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 21A（Ta） 1.6W（Ta），30W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
型号：
TPCA8023-H(TE12LQM
仓库库存编号：
TPCA8023-H(TE12LQM-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 21A SBD 8TSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 21A（Ta） 700mW（Ta），30W（Tc） 8-TSON
型号：
TPCC8A01-H(TE12LQM
仓库库存编号：
TPCC8A01-H(TE12LQMCT-ND
别名：TPCC8A01-H(TE12LQMCT
TPCC8A01HTE12LQM
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 21A TP-FA
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 21A（Ta） 1W（Ta），23W（Tc） TP-FA
型号：
SFT1450-TL-H
仓库库存编号：
SFT1450-TL-H-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 21A TP
详细描述：通孔 N 沟道 40V 21A（Ta） 1W（Ta），23W（Tc） TP
型号：
SFT1450-H
仓库库存编号：
SFT1450-H-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Ta）,
无铅
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