规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.1A(Ta),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 40V 9.1A 8-SO
详细描述:表面贴装 P 沟道 9.1A(Ta) 1.45W(Ta) 8-SO
型号:
DMP4015SSS-13
仓库库存编号:
DMP4015SSS-13DICT-ND
别名:DMP4015SSS-13DICT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.1A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 9.1A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.1A(Ta) 860mW(Ta) 8-SOIC
型号:
NTMS4807NR2G
仓库库存编号:
NTMS4807NR2GOSCT-ND
别名:NTMS4807NR2GOSCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.1A(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.1A(Ta) 820mW(Ta) 6-UDFN2020(2x2)
型号:
DMT5015LFDF-7
仓库库存编号:
DMT5015LFDF-7DICT-ND
别名:DMT5015LFDF-7DICT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.1A(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 40V 9.1A 8-SO
详细描述:表面贴装 P 沟道 9.1A(Ta) 1.45W(Ta) 8-SO
型号:
DMP4015SSSQ-13
仓库库存编号:
DMP4015SSSQ-13DICT-ND
别名:DMP4015SSSQ-13DICT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.1A(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 9.1A(Ta) 660mW(Ta) U-DFN2020-6(E 类)
型号:
DMP1022UFDE-7
仓库库存编号:
DMP1022UFDE-7DICT-ND
别名:DMP1022UFDE-7DICT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.1A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 9.1A 6UDFN
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 9.1A (Ta) 2.63W Surface Mount 6-UDFN (2x2)
型号:
NTLUD4C26NTAG
仓库库存编号:
NTLUD4C26NTAG-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.1A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 9.1A 6UDFN
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 9.1A (Ta) 2.63W Surface Mount 6-UDFN (2x2)
型号:
NTLUD4C26NTBG
仓库库存编号:
NTLUD4C26NTBG-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.1A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 9.1A SO-8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 9.1A(Ta) 900mW(Ta) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4122NT1G
仓库库存编号:
NTMFS4122NT1GOSCT-ND
别名:NTMFS4122NT1GOSCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.1A(Ta),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 9.1A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SOP
型号:
TSM4435BCS RLG
仓库库存编号:
TSM4435BCS RLGTR-ND
别名:TSM4435BCS RLGTR
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.1A(Ta),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 9.1A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SOP
型号:
TSM4435BCS RLG
仓库库存编号:
TSM4435BCS RLGCT-ND
别名:TSM4435BCS RLGCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.1A(Ta),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 9.1A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SOP
型号:
TSM4435BCS RLG
仓库库存编号:
TSM4435BCS RLGDKR-ND
别名:TSM4435BCS RLGDKR
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.1A(Ta),
无铅
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