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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 300mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：BSS138-7-F
  仓库库存编号：BSS138-FDICT-ND
  别名：BSS138-FDICT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 50V 0.2A VMT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 150mW（Ta） VMT3
  
  型号：RYM002N05T2CL
  仓库库存编号：RYM002N05T2CLCT-ND
  别名：RYM002N05T2CLCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
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  无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 50V 200MA SC70-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 200mW（Ta） SOT-323
  
  型号：BSS138W-7-F
  仓库库存编号：BSS138W-FDICT-ND
  别名：BSS138W-FDICT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 300mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：BSS138TA
  仓库库存编号：BSS138ZXCT-ND
  别名：BSS138ZX
  BSS138ZXCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 400mW（Ta） X2-DFN1006-3
  
  型号：DMN2005LP4K-7
  仓库库存编号：DMN2005LP4KDICT-ND
  别名：DMN2005LP4KDICT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 240V 200MA SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 360mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：TN2404K-T1-E3
  仓库库存编号：TN2404K-T1-E3CT-ND
  别名：TN2404K-T1-E3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 200mA（Ta） 400mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：2N7000
  仓库库存编号：2N7000FS-ND
  别名：2N7000FS
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 0.2A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 320mW（Ta） SOT-23
  
  型号：T2N7002AK,LM
  仓库库存编号：T2N7002AKLMCT-ND
  别名：T2N7002AKLM(BCT
  T2N7002AKLM(BCT-ND
  T2N7002AKLMCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 50V 0.2A EMT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 150mW（Ta） EMT3
  
  型号：RYE002N05TCL
  仓库库存编号：RYE002N05TCLCT-ND
  别名：RYE002N05TCLCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 50V 0.2A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：BSS138L
  仓库库存编号：BSS138LCT-ND
  别名：BSS138LCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET NCH 20V 200MA SSM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 100mW（Ta） SSM
  
  型号：SSM3K37FS,LF
  仓库库存编号：SSM3K37FSLFCT-ND
  别名：SSM3K37FSLFCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 50V 0.2A SST3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 200mW（Ta） SST3
  
  型号：RUC002N05T116
  仓库库存编号：RUC002N05T116CT-ND
  别名：RUC002N05T116CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
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  无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V 0.2A X2-DFN1006
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200mA（Ta） 350mW（Ta） X2-DFN1006-3
  
  型号：DMP210DUFB4-7
  仓库库存编号：DMP210DUFB4-7DICT-ND
  别名：DMP210DUFB4-7DICT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 0.2A VMT3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200mA（Ta） 150mW（Ta） VMT3
  
  型号：RZM002P02T2L
  仓库库存编号：RZM002P02T2LCT-ND
  别名：RZM002P02T2LCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 0.2A VMT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 150mW（Ta） VMT3
  
  型号：RUM002N02T2L
  仓库库存编号：RUM002N02T2LCT-ND
  别名：RUM002N02T2LCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 30V SOT323
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200mA（Ta） 260mW（Ta），830mW（Tc） SOT-323-3
  
  型号：NX3008PBKW,115
  仓库库存编号：1727-1284-1-ND
  别名：1727-1284-1
  568-10503-1
  568-10503-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 200mW（Ta） UMT3
  
  型号：RHU002N06T106
  仓库库存编号：RHU002N06T106CT-ND
  别名：RHU002N06T106CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 225mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：BVSS138LT1G
  仓库库存编号：BVSS138LT1GOSCT-ND
  别名：BVSS138LT1GOSCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V .2A EMT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 150mW（Ta） EMT3
  
  型号：RUE002N02TL
  仓库库存编号：RUE002N02TLCT-ND
  别名：RUE002N02TLCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 200mA（Ta） 400mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：2N7000_D26Z
  仓库库存编号：2N7000_D26ZCT-ND
  别名：2N7000_D26ZCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 200mA（Ta） 400mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：2N7000_D74Z
  仓库库存编号：2N7000_D74ZFSCT-ND
  别名：2N7000_D74ZFSCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
• 无铅
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 200mW（Ta） UMT3
  
  型号：RJU002N06T106
  仓库库存编号：RJU002N06T106CT-ND
  别名：RJU002N06T106CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 0.2A VMT3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200mA（Ta） 150mW（Ta） VMT3
  
  型号：RTM002P02T2L
  仓库库存编号：RTM002P02T2LCT-ND
  别名：RTM002P02T2LCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 240V 0.2A SOT89
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200mA（Ta） 560mW（Ta），12.5W（Tc） SOT-89-3
  
  型号：BSS192,115
  仓库库存编号：1727-4934-1-ND
  别名：1727-4934-1
  568-6226-1
  568-6226-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 450V 0.136A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200mA（Ta） 740mW（Ta） TO-92（TO-226）
  
  型号：DN3545N3-G
  仓库库存编号：DN3545N3-G-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
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