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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200mA（Ta） 625mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVN3310A
  仓库库存编号：ZVN3310A-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 240V 0.2A TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 200mA（Ta） 750mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVP4424A
  仓库库存编号：ZVP4424A-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：SN7002NH6327XTSA2
  仓库库存编号：SN7002NH6327XTSA2CT-ND
  别名：SN7002NH6327XTSA2CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 200mA（Ta） 400mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：2N7000_D75Z
  仓库库存编号：2N7000_D75ZFSCT-ND
  别名：2N7000_D75ZFSCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 0.2A X2-DFN0606
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200mA（Ta） 390mW（Ta） X2-DFN0606-3
  
  型号：DMP32D9UFZ-7B
  仓库库存编号：DMP32D9UFZ-7BDICT-ND
  别名：DMP32D9UFZ-7BDICT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 200MA SOT-346
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 200mW（Ta） SMT3
  
  型号：2SK2731T146
  仓库库存编号：2SK2731T146CT-ND
  别名：2SK2731T146CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200mA（Ta） 425mW（Ta） 3-DFN1006（1.0x0.6）
  
  型号：DMP56D0UFB-7
  仓库库存编号：DMP56D0UFB-7DICT-ND
  别名：DMP56D0UFB-7DICT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
• 无铅
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 200MA SOT416
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200mA（Ta） 150mW（Ta） EMT3
  
  型号：RSE002P03TL
  仓库库存编号：RSE002P03TLCT-ND
  别名：RSE002P03TLCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 200V 0.2A SOT-223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200mA（Ta） 2W（Ta） SOT-223
  
  型号：ZXMP2120G4TA
  仓库库存编号：ZXMP2120G4CT-ND
  别名：ZXMP2120G4CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 1.2V DRIVE EMT3FM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50V 200mA（Ta） 150mW（Ta） EMT3F（SOT-416FL）
  
  型号：RE1J002YNTCL
  仓库库存编号：RE1J002YNTCLCT-ND
  别名：RE1J002YNTCLCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 200mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS7728NH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSS7728NH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSS7728N H6327CT
  BSS7728N H6327CT-ND
  BSS7728NH6327XTSA1CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 240V 200MA TO236
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240V 200mA（Ta） 360mW（Ta）
  
  型号：TN2404K-T1-GE3
  仓库库存编号：TN2404K-T1-GE3CT-ND
  别名：TN2404K-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 60V 0.2A S-MINI
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200mA（Ta） 200mW（Ta） SC-59
  
  型号：2SJ168TE85LF
  仓库库存编号：2SJ168TE85LFCT-ND
  别名：2SJ168TE85LFCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200mA（Ta） 425mW（Ta） 3-DFN1006（1.0x0.6）
  
  型号：DMP56D0UFB-7B
  仓库库存编号：DMP56D0UFB-7BDICT-ND
  别名：DMP56D0UFB-7BDICT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 200mW（Ta） UMT3
  
  型号：RUU002N05T106
  仓库库存编号：RUU002N05T106CT-ND
  别名：RUU002N05T106CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 12V 0.2A X2DFN-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200mA（Ta） 360mW（Ta） X2-DFN0806-3
  
  型号：DMP1555UFA-7B
  仓库库存编号：DMP1555UFA-7BDICT-ND
  别名：DMP1555UFA-7BDICT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 50V 0.2A 3VMT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 150mW（Ta） VMT3
  
  型号：RUM002N05T2L
  仓库库存编号：RUM002N05T2LCT-ND
  别名：RUM002N05T2LCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 200MA VMT3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200mA（Ta） 150mW（Ta） VMT3
  
  型号：RSM002P03T2L
  仓库库存编号：RSM002P03T2LCT-ND
  别名：RSM002P03T2LCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 300mW（Ta） SC-89-3
  
  型号：SI1032X-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1032X-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1032X-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  0.9V DRIVE NCH SILICON MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 350mW（Tc） SST3
  
  型号：RYC002N05T316
  仓库库存编号：RYC002N05T316CT-ND
  别名：RYC002N05T316CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 200MA SC-89
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 625mW（Ta） SC-89-3
  
  型号：FDY301NZ
  仓库库存编号：FDY301NZCT-ND
  别名：FDY301NZCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 30V 0.2A S-MINI
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200mA（Ta） 200mW（Ta） SC-59
  
  型号：2SJ305TE85LF
  仓库库存编号：2SJ305TE85LFCT-ND
  别名：2SJ305TE85LFCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：SN7002NH6327XTSA1
  仓库库存编号：SN7002NH6327XTSA1CT-ND
  别名：SN7002NH6327XTSA1CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-236AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 300mW（Ta），1.06W（Tc） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：BSS138AKAR
  仓库库存编号：1727-1261-1-ND
  别名：1727-1261-1
  568-10469-1
  568-10469-1-ND
  BSS138AKA,215
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 0.2A EMT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 150mW（Ta） EMT3F（SOT-416FL）
  
  型号：RE1C002UNTCL
  仓库库存编号：RE1C002UNTCLCT-ND
  别名：RE1C002UNTCLCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）,
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