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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6.6A（Tc） 40W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9120NTRPBF
  仓库库存编号：IRFR9120NPBFCT-ND
  别名：*IRFR9120NTRPBF
  IRFR9120NPBFCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.6A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6.6A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD8P10TM
  仓库库存编号：FQD8P10TMCT-ND
  别名：FQD8P10TMCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.6A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 6.6A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 6.6A（Tc） 60W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFIB7N50APBF
  仓库库存编号：IRFIB7N50APBF-ND
  别名：*IRFIB7N50APBF
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.6A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 6.6A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 6.6A（Tc） 63W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP7N20
  仓库库存编号：FQP7N20-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.6A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK
  详细描述：通孔 P 沟道 6.6A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU8P10TU
  仓库库存编号：FQU8P10TU-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.6A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6.6A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD8P10TM_F085
  仓库库存编号：FQD8P10TM_F085CT-ND
  别名：FQD8P10TM_F085CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.6A（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 400V 6.6A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.6A（Tc） 83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD9T40P
  仓库库存编号：785-1707-1-ND
  别名：785-1707-1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.6A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 6.6A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 6.6A（Tc） 167W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP7N80C
  仓库库存编号：FQP7N80C-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.6A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 6.6A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 6.6A（Tc） 56W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF7N80C
  仓库库存编号：FQPF7N80C-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.6A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 6.6A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 6.6A（Tc） 3.13W（Ta），167W（Tc） I2PAK（TO-262）
  
  型号：FQI7N80TU
  仓库库存编号：FQI7N80TU-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.6A（Tc）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 6.8A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.6A（Tc） 84W（Tc） DPAK
  
  型号：NDD60N745U1T4G
  仓库库存编号：NDD60N745U1T4G-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.6A（Tc）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 6.8A IPAK-4
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 6.6A（Tc） 84W（Tc） I-Pak
  
  型号：NDD60N745U1-1G
  仓库库存编号：NDD60N745U1-1G-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.6A（Tc）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 6.8A IPAK-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 6.6A（Tc） 84W（Tc） I-Pak
  
  型号：NDD60N745U1-35G
  仓库库存编号：NDD60N745U1-35G-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.6A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 6.6A TO220-FP
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 6.6A（Tc） 32W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：SPA07N60CFDXKSA1
  仓库库存编号：SPA07N60CFDXKSA1-ND
  别名：SP000264431
  SPA07N60CFD
  SPA07N60CFD-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.6A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 6.6A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 6.6A（Tc） 60W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFIB7N50A
  仓库库存编号：IRFIB7N50A-ND
  别名：*IRFIB7N50A
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.6A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 6.6A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD8P10TF
  仓库库存编号：FQD8P10TF-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.6A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 6.6A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 6.6A（Tc） 3.13W（Ta），63W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB7N20TM
  仓库库存编号：FQB7N20TM-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.6A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 6.6A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 6.6A（Tc） 167W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP7N80
  仓库库存编号：FQP7N80-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.6A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 6.6A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 6.6A（Tc） 3.13W（Ta），167W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB7N80TM_AM002
  仓库库存编号：FQB7N80TM_AM002-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.6A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 6.6A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD8P10TM_SB82052
  仓库库存编号：FQD8P10TM_SB82052-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.6A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 6.6A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 6.6A（Tc） 50W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF11N40T
  仓库库存编号：FQPF11N40T-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.6A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 6.6A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD8P10TF_NB82052
  仓库库存编号：FQD8P10TF_NB82052-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.6A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 6.6A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD8P10TM_F080
  仓库库存编号：FQD8P10TM_F080-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.6A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 6.6A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 6.6A（Tc） 2W（Ta），3.3W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4831BDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4831BDY-T1-E3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.6A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 6.6A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 6.6A（Tc） 2W（Ta），3.3W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4831BDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4831BDY-T1-GE3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.6A（Tc）,
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