规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Ta),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 1A SOT323
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Ta) 290mW(Ta) SOT-323
型号:
DMG1012UW-7
仓库库存编号:
DMG1012UW-7DICT-ND
别名:DMG1012UW-7DICT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Ta),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 1A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Ta) 1.4W(Ta) SOT-23-3L
型号:
AO3442
仓库库存编号:
785-1461-1-ND
别名:785-1461-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Ta),
无铅
搜索
EPC
TRANS GAN 100V 1A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Ta) 模具
型号:
EPC2036
仓库库存编号:
917-1100-1-ND
别名:917-1100-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 1A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Ta) 2W(Ta) SOT-223
型号:
ZVN4206GTA
仓库库存编号:
ZVN4206GCT-ND
别名:ZVN4206G
ZVN4206GCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 1A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Ta) 2W(Ta) SOT-223
型号:
ZVN4206GVTA
仓库库存编号:
ZVN4206GVCT-ND
别名:ZVN4206GV
ZVN4206GVCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Ta),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 1A VML1006
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Ta) 400mW(Ta) VML1006
型号:
RV2C010UNT2L
仓库库存编号:
RV2C010UNT2LCT-ND
别名:RV2C010UNT2LCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Ta),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V SC-70
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Ta) 342mW(Ta) SC-70
型号:
PMF250XNEX
仓库库存编号:
1727-2693-1-ND
别名:1727-2693-1
568-13212-1
568-13212-1-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Ta),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 30V SOT883
详细描述:表面贴装 P 沟道 1A(Ta) 350mW(Ta), 6.25W(Tc) DFN1006-3
型号:
PMZ320UPEYL
仓库库存编号:
1727-2319-1-ND
别名:1727-2319-1
568-12605-1
568-12605-1-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Ta),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 1A SOT323
详细描述:表面贴装 P 沟道 1A(Ta) 290mW(Ta),1.67W(Tc) SOT-323-3
型号:
PMF170XP,115
仓库库存编号:
1727-1229-1-ND
别名:1727-1229-1
568-10415-1
568-10415-1-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 1A(Ta) 400mW(Ta) SOT-23-3
型号:
NVR1P02T1G
仓库库存编号:
NVR1P02T1GOSCT-ND
别名:NVR1P02T1GOSCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 1A CPH3
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Ta) 1W(Ta) 3-CPH
型号:
CPH3462-TL-W
仓库库存编号:
CPH3462-TL-WOSCT-ND
别名:CPH3462-TL-WOSCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Ta),
无铅
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Central Semiconductor Corp
MOSFET N-CH 60V 0.28A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Ta) 350mW(Ta) SOT-23
型号:
CMPDM7002AHC TR
仓库库存编号:
CMPDM7002AHC CT-ND
别名:CMPDM7002AHC CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Ta) 1.5W(Ta) SOT-89-3
型号:
ZXMN10A07ZTA
仓库库存编号:
ZXMN10A07ZCT-ND
别名:ZXMN10A07ZCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Ta),
无铅
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EPC
TRANS GAN 60V 1A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Ta) 模具
型号:
EPC2035
仓库库存编号:
917-1099-1-ND
别名:917-1099-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Ta),
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 16V 1A SOT-143
详细描述:表面贴装 P 沟道 1A(Ta) 568mW(Ta) SOT-143
型号:
MIC94030YM4-TR
仓库库存编号:
576-2936-1-ND
别名:576-2936-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Ta),
无铅
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EPC
TRANS GAN 100V BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Ta) 模具
型号:
EPC2037ENGR
仓库库存编号:
917-EPC2037ENGRCT-ND
别名:917-EPC2037ENGRCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 1A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD110PBF
仓库库存编号:
IRFD110PBF-ND
别名:*IRFD110PBF
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 1A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRLD110PBF
仓库库存编号:
IRLD110PBF-ND
别名:*IRLD110PBF
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP
详细描述:通孔 P 沟道 1A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD9120PBF
仓库库存编号:
IRFD9120PBF-ND
别名:*IRFD9120PBF
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Ta),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5
详细描述:表面贴装 P 沟道 1A(Ta) 1W(Ta) TUMT5
型号:
US5U38TR
仓库库存编号:
US5U38CT-ND
别名:US5U38CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Ta),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 1A TSMT6
详细描述:表面贴装 P 沟道 1A(Ta) 1.25W(Ta) TSMT6(SC-95)
型号:
QS6U24TR
仓库库存编号:
QS6U24CT-ND
别名:QS6U24CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Ta),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 1A XQFN3
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 1A(Ta) 360mW(Ta),2.7W(Tc) DFN1006-3
型号:
PMZ290UNEYL
仓库库存编号:
1727-2318-1-ND
别名:1727-2318-1
568-12604-1
568-12604-1-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Ta),
无铅
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Central Semiconductor Corp
MOSFET N-CH 20V 1A
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 1A(Ta) 1.6W(Ta) TLM621H
型号:
CTLDM7120-M621H TR
仓库库存编号:
CTLDM7120-M621H CT-ND
别名:CTLDM7120-M621H CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Ta),
无铅
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Central Semiconductor Corp
MOSFET 2N-CH 20V 1A
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 1A (Ta) 1.65W Surface Mount TLM832DS
型号:
CTLDM7120-M832DS TR
仓库库存编号:
CTLDM7120-M832DS CT-ND
别名:CTLDM7120-M832DS CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Ta),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 20V 1A SC70-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Ta) 350mW(Ta) SC-70-3
型号:
AO7404
仓库库存编号:
785-1086-1-ND
别名:785-1086-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Ta),
无铅
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