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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 20V 1A TO-236AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 1A（Ta） 325mW（Ta），1.14W（Tc） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：PMV170UN,215
  仓库库存编号：568-10830-1-ND
  别名：568-10830-1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1A（Ta）,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 1A（Ta） 360mW（Ta），2.7W（Tc） 3-DFN1006B（0.6x1）
  
  型号：PMZB300XN,315
  仓库库存编号：568-10841-1-ND
  别名：568-10841-1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1A（Ta）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 1A（Ta） 4-HVMDIP
  
  型号：IRFD9123
  仓库库存编号：IRFD9123-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1A（Ta）,
• 含铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 1A（Ta） 1W（Ta），38W（Tc） IPAK/TP
  
  型号：SFT1458-H
  仓库库存编号：SFT1458-H-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1A（Ta）,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 1A（Ta） 1W（Ta），38W（Tc） DPAK/TP-FA
  
  型号：SFT1458-TL-H
  仓库库存编号：SFT1458-TL-H-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1A（Ta）,
• 无铅
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